5. Расчет безотказности по справочнику «MIL-HDBK-217F».
Для расчета безотказности по справочнику «MIL-HDBK-217F» был использован, как и в случае с расчетом по справочнику «Надёжность ЭРИ ИП» редакции 2006г., программный комплекс АСОНИКА-К. Расположенная на сервере подсистема, содержит всю необходимую информацию о характеристиках надежности ЭРИ в объеме, полностью соответствующему американскому Справочнику «MIL-HDBK-217F».
Для заполнения необходимых данных в АСОНИКА-К использовалась подробная таблица из Приложения №1 к диплому, в которой введены параметры 5 ИМС выбранных в пункте 1.3 к диплому.
Для расчета в системе АСОНИКА-К необходимо добавить ЭРИ из группы интегральные микросхемы «MIL-HDBK-217F». Затем по пунктам заполняются необходимые для расчета данные:
1. Выбор группы ЭРИ. В соответствии с типом ЭРИ выбираем группу.
Рис. 1.20. Выбор группы ЭРИ в соответствии с типом.
2. Затем в связи с тем какая подгруппа выбираем подгруппу ЭРИ.
Рис. 1.21. Выбор подгруппы ЭРИ.
3. Необходимо ввести сокращённый тип и номер технического устройства. К примеру, в случае с операционным усилителем Texas Instruments OPA-2333HTвводим следующие обозначения:
Рис. 1.22. Ввод сокращенного типа и номера ЭРИ.
4. Вводим позиционное обозначение устройства.
Рис. 1.23. Ввод позиционного обозначения.
5. Вводим технические параметры интегральной микросхемы, которые берем из таблицы в Приложении №1. На рис. 4.24. показан ввод параметров на примере операционного усилителя Texas Instruments OPA-2333HT. Если же у нас ИС является микросхемой памяти, то вместо количества элементов нужно ввести количество бит. Также необходимо ввести: приёмку, время применения микросхемы, мощность, температуру, количество контактов, тип корпуса.
Рис. 1.24. Ввод параметров ЭРИ.
Рис. 1.25. Выбор типа хранения.
6. Выбираем параметры типа хранения ИМС. В данном случае для всех 5 ИМС из Приложения №1 необходимо выбрать согласно исходным данным – «в отапливаемом помещении». 
Рис. 1.26. Выбор группы аппаратуры.
7. В соответствии с американским стандартом, приведенным в справочнике «MIL-HDBK-217F», выбираем группу аппаратуры. Для пяти ИМС указанных в ТЗ, выбираем группу Gb, которая соответствует группе 1.1 из ГОСТ В 20.39.304-98. 
8. На этом ввод параметров закончен. Интегральная микросхема добавляется в проект для расчета надёжности. На рис. 1.28 показано как выглядит окно АСОНИКА-К с добавленными ИМС и всеми заполненными параметрами для расчета. На этом ввод параметров закончен. Интегральная микросхема добавляется в проект для расчета надёжности.
9. Нажимаем расчет параметров и выводим результаты. В итоге получаем эксплуатационную интенсивность отказов и график интенсивности отказов показанный на рис. 1.27.
Эксплуатационная интенсивность отказов представлена в таблице 1.5.
Таблица 1.5.
Наименование ИМС
|
Эксплуатационная интенсивность отказов
λЭ
|
Texas Instruments OPA-2333 (DA1)
|
2,13e-10
|
Miсrosemi A3P0602 (DS2)
|
2,51e-08
|
Atmel AT32UC3A05123
|
3,50e-08
|
Microchip TC44674
|
1,72e-08
|
Xilinx XC3S2005
|
1,88e-09
|
Рис. 1.27. График эксплуатационной интенсивности отказов 5 ИМС.
Рис.1.28.Вид окна АСОНИКА-К с введёнными параметрами пяти ИМС по справочнику «MIL-HDBK-217F».
|
