4. Расчет безотказности по справочнику «Надежность ЭРИ ИП» редакции 2006г.
Для расчета безотказности по справочнику «Надежность ЭРИ ИП» редакции 2006г. был использован программный комплекс АСОНИКА-К. Расположенная на сервере подсистема, содержит всю необходимую информацию о характеристиках надежности ЭРИ в объеме, полностью соответствующему российскому справочнику «Надежность ЭРИ ИП» редакции 2006г.
Для заполнения необходимых данных в АСОНИКА-К использовалась подробная таблица из Приложения №1 к диплому
Для расчета в системе АСОНИКА-К необходимо добавить ЭРИ из группы интегральные микросхемы «Надежность ЭРИ ИП». Ввести необходимые для расчета условия. Затем по пунктам заполняются необходимые для расчета данные:
1. Выбор группы ЭРИ. В соответствии с типом ЭРИ выбираем группу.
Рис. 1.8. Выбор группы ЭРИ в соответствии с типом.
2. Затем в связи с тем какая подгруппа выбираем подгруппу ЭРИ.
Рис. 1.9. Выбор подгруппы ЭРИ.
3. Необходимо ввести сокращённый тип и номер технического устройства. К примеру, в случае с операционным усилителем TI OPA-2333HT, вводим следующие обозначения:
Рис. 1.10. Ввод сокращённого типа ЭРИ/
4. Вводим позиционное обозначение устройства.
Рис. 1.11. Ввод позиционного обозначения
5. Вводим технические параметры интегральной микросхемы, которые берем из таблицы в Приложении №1. На Рис.1.12 и Рис. 1.13 показан ввод технических параметров на примере операционного усилителя Texas Instruments OPA-2333HT. Аналогично вводятся технические параметры для остальных микросхем, кроме микросхем памяти.
Рис. 1.12. Ввод параметров ИМС группы «Цифровые и аналоговые ИС, ПЛИС, микропроцессоры» №1
Рис. 1.12. Ввод параметров ИМС группы «Цифровые и аналоговые ИС, ПЛИС, микропроцессоры» №2
6. Выбираем параметры типа хранения ИМС. В данном случае для всех 5 ИМС из Приложения №1 необходимо выбрать согласно исходным данным – «в отапливаемом помещении».
Рис. 1.14. Выбор типа хранения.
7. Выбираем группу аппаратуры в соответствии с ГОСТ В 20.39.304-98. В данном случае для 5 ИМС выбираем группу 1.1, что соответствует «аппаратура стационарных помещений, сооружений».
Рис. 1.15. Выбор группы аппаратуры.
8. Если микросхема входит в группу «микросхемы памяти», то как было сказано в пункте 5 выбираются другие параметры, в отличии от группы «Цифровые и аналоговые ИС, ПЛИС, микропроцессоры». Данные параметры показаны на Рис. 4.16. и Рис. 4.17. на примере микросхемы памяти Microsemi ProASIC3 (A3P060).
Рис. 1.16. Ввод параметров для группы «Микросхемы памяти» №1.
Рис. 1.17. Ввод параметров для группы «Микросхемы памяти» №2.
9. На этом ввод параметров закончен. Интегральная микросхема добавляется в проект для расчета надёжности. На Рис. 1.18. показано как выглядит окно АСОНИКА-К с добавленными ИМС и всеми заполненными параметрами для расчета. На этом ввод параметров закончен. Интегральная микросхема добавляется в проект для расчета надёжности.
Рис. 1.18. Вид окна АСОНИКА-К с введёнными параметрами пяти ИМС по справочнику «Надёжность ЭРИ ИП» редакции 2006г..
10. Нажимаем расчет параметров и выводим результаты. В итоге получаем эксплуатационную интенсивность отказов и график интенсивности отказов показанный на рис. 1.19.
Эксплуатационная интенсивность отказов представлена в таблице 1.4.
Таблица 1.4.
Наименование ИМС
|
Эксплуатационная интенсивность отказов
λЭ
|
Texas Instruments OPA-2333 (DA1)
|
3,31e-10
|
Mirosemi A3P0602
|
9,09e-10
|
Atmel AT32UC3A05123
|
1,89e-08
|
Microchip TC44674
|
7,78e-11
|
Xilinx XC3S2005
|
5,06e-09
|
Рис. 1.19. Эксплуатационная интенсивность отказов 5 ИМС
|
