Дипломному проекту На тему: Прогнозирование безотказности современных цифровых интегральных микросхем по конструктивно технологическим параметрам

Программа расчёта эксплуатационной интенсивности отказов на основе справочника RADC-TR-89-177. Расчет интенсивности отказов для ИМС Xilinx Spartan-3 XC3S200 Выполнено на основе алгоритма из пункта №4.8 диплома. Необходимо ввести все необходимые данные и рассчитать необходимые коэффициенты и интенсивности отказов. 1.Расчет : - интенсивность отказов, зависящая от типа ИМС 2.Расчет : - зависит от процесса производства ИМС 3. Расчет : Необходимые данные для расчёта : - тепловое сопротивление кристалл-корпус (С/Вт) - температура корпуса (С) - номинальная температура кристалла (К) - мощность рассеивания (Вт) - рабочая температура кристалла (К) - формула для расчёта - коэффициент, зависящий от температуры 4. Расчет : - коэффициент, зависящий от уровня качества проведённых испытаний кристалла 5. Расчет : Необходимые данные для расчета - площадь кристалла (см2) - топологический размер (мкм) - формула для расчета - коэффициент, зависящий от сложности структуры кристалла 6. Расчет : Необходимые данные для расчета : - количество выводов - формула расчета - интенсивность отказов корпуса 7. Расчёт: - коэффициент, зависящий от воздействия окружающей среды 8. Расчет : - коэффициент, зависящий от качества проведённых испытаний корпуса 9. Расчёт - коэффициент, зависящий от типа корпуса 10. Расчет : - интенсивность отказов, связанная с ESD Все необходимые данные введены, далее рассчитываем эксплуатационную интенсивность отказов - математическая модель расчёта ИО ИМС

Похожие:

	Дипломному проекту На тему: «Проектирование и разработка автоматизированной... Охватывают различные подразделения, начиная с приема больного в стационаре и заканчивая его выпиской. В медицинских учреждениях работает...		Административный регламент Эвм, базы данных, топологии интегральных микросхем, а также договоров коммерческой концессии на использование объектов интеллектуальной...
	Инструкция по порядку оформления и регистрации объектов интеллектуальной... Баз данных, программ для эвм, топологий интегральных микросхем, изобретений, полезных моделей, промышленных образцов и др объектов...		Приложение Г. Логико-структурная матрица по дипломному проекту «Внедрение... Логико-структурная матрица по дипломному проекту «Внедрение эффективного контракта» (пример заполнения)
	Административному регламенту исполнения Федеральной службой по интеллектуальной... Эвм, базы данных, топологии интегральных микросхем, а также договоров коммерческой концессии на использование объектов интеллектуальной...		Топологии интегральных микросхем Интегральной микросхемой является микроэлектронное изделие окончательной или промежуточной формы, которое предназначено для выполнения...
	Дипломному проекту На тему: Разработка программного модуля диспетчера... Данный дипломный проект посвящен разработке программного модуля диспетчера высокой готовности для осрв qnx 25		Образец заявления о регистрации договора о залоге (последующем залоге)... Эвм, базы данных, топологии интегральных микросхем, а также договоров коммерческой концессии на использование объектов интеллектуальной...
	Конкурс проводится: с 20 января по 15 марта 2016 г. Номинация: «Лучший... Приглашаем пройти обучение по курсу программирования на Java: «Разработка мобильных приложений под Android» для школьников!		Учебное пособие к курсовому и дипломному проектированию Организация пассажирских перевозок: Учебное пособие к курсовому и дипломному проектированию. – Ростов н/Д: Рост гос ун-т путей сообщения....