Программа курса «Современные методы диагностики в наноматериалах. Часть 2» образовательной программы опережающей профессиональной подготовки (уровень магистратура), ориентированной на потребности проектных компаний ОАО «Роснано»

Скачать 1.12 Mb.

Название	Программа курса «Современные методы диагностики в наноматериалах. Часть 2» образовательной программы опережающей профессиональной подготовки (уровень магистратура), ориентированной на потребности проектных компаний ОАО «Роснано»
страница	1/27
Тип	Программа курса

filling-form.ru > Туризм > Программа курса

1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 27

Российская Академия наук
Учреждение Российской академии наук

Санкт-Петербургский Академический университет –
научно-образовательный центр нанотехнологий РАН

«УТВЕРЖДАЮ»

Проректор по высшему образованию

д.ф.-м.н., чл.-корр. РАН А.Е.Жуков

_____________________
Программа курса

«Современные методы диагностики в наноматериалах. Часть 2»

образовательной программы опережающей профессиональной подготовки (уровень – магистратура), ориентированной на потребности проектных компаний ОАО «Роснано», реализующих инвестиционные проекты в области твердотельной светотехники.

Кафедра Физики и технологии наногетероструктур

Санкт-Петербург

2011

Программа курса составлена на основании технического задания к договору оказания услуг № РН-3 от 31 января 2011 г. между Фондом инфраструктурных и образовательных программ и учреждением Российской академии наук Санкт-Петербургским Академическим университетом – научно-образовательным центром нанотехнологий РАН.

Программа курса рассмотрена и утверждена на заседании Президиума Ученого совета СПб АУ НОЦНТ РАН, протокол № ПР-9/2011 от «14» апреля 2011 г.
Ректор СПб АУ НОЦНТ РАН академик РАН Ж.И.Алферов
Начальник учебного управления О.Н. Колобова
Программу курса разработала д.ф.-м.н. М.В. Заморянская

© ОАО «РОСНАНО»
1. Цели и задания образовательной программы.

1.1. Цель – подготовка магистров, ориентированных на потребности проектных компаний ОАО «Роснано», реализующих инвестиционные проекты в области твердотельной светотехники.
1.2. Категория обучаемых: магистры, специализирующиеся в области твердотельной светотехники.
1.3. Предметом изучения дисциплины являются следующие объекты:

Исследование электрофизических свойств наночастиц золота методами атомно-силовой микроскопии и динамической электросиловой микроскопии.
Исследование наноструктур из фторидов кальция и кадмия методом рентгеновской дифракции.
Исследование сапфировой керамики Al₂O₃.
Исследование фотонных кристаллов методом просвечивающей электронной микроскопии.
Исследование полупроводниковых слоев нитридов методами электронной спектроскопии.
Исследование рентгеновских люминофоров методом катодолюминесценции.
Исследование опаловых структур с различным типом заполнения метолом просвечивающей электронной микроскопии.
Исследование структурных и люминесцентных свойств слоев нитридов.
Исследование свойств порошковых люминофоров.

В основе современной диагностики лежит использование комплекса прецизионного аналитического оборудования, обеспечивающего высокую точность, чувствительность и пространственное разрешение вплоть до атомного масштаба. Успешное развитие фундаментальной прикладной науки, научных исследований, высоких технологий и наукоемкого производства требует нового уровня диагностики. Для развития нанотехнологического производства и исследований гетероструктур необходимо получать количественно-точную информацию об элементном, химическом, фазовом составе, параметрах кристаллической и электронной структуры, типе, концентрации и локализации дефектов, оптических, электрофизических, геометрических и других параметрах и характеристиках любых материалов и твердотельных структур.

Цикл лабораторных работ направлен на освоение методов исследования новых материалов, структур и приборов на их основе для микро-, нано- и оптоэлектроники.

1.4. Место курса в образовательной программе

Лабораторно-практический курс «Современные методы диагностики в наноматериалах. Часть 2», входит в состав третьего модуля «Технология создания и диагностика полупроводниковых наногетероструктур». Цикл лабораторно-практических работ проводиться в весеннем семестре первого года обучения на базе Центра коллективного пользования "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" при Физико-техническом институте им.А.Ф.Иоффе РАН, оснащенного уникальным диагностическим оборудованием по исследованию структурных, оптических и электрофизических свойств наногетероструктур, не имеющим на сегодняшний день аналогов в России. Курс направлен на освоение практических, технологических и научных навыков в области физики наносистем и наноэлектроники, на изучения научных и технологических основ исследования гетероструктур и приборов, базирующихся на применении полупроводниковых наноструктур. В рамках курса магистры приобретают практические навыки работы на новейшем аналитическом оборудовании.

Данный цикл является специальной технической дисциплиной, овладев которой студенты получают знания, необходимые для успешной профессиональной деятельности и выполнения самостоятельной научной работы. Работа включает в себя освоение теории, приобретение практических навыков в области исследования наногетероструктур и навыков характеризации гетероструктур.

Для успешного освоения курса студентам необходимо обладать знаниями по физике твердого тела, физике полупроводниковых наногетероструктур, физико-химии поверхности, знаниями приборов и устройств на основе полупроводниковых наногетероструктур, знаниями технологии создания и методов роста полупроводниковых соединений, методов исследования структурных, оптических и электрофизических характеристик полупроводниковых наноструктур.
2. Требования к результатам освоения содержания дисциплины
Основные задачи лабораторно-практического курса «Современные методы диагностики в наноматериалах. Часть 2»:

Проведение научно-практических исследовательских работ в области диагностики наноматериалов.
Ознакомление с принципом действия оборудования, фундаментальными физическими явлениями, лежащими в основе функционирования оборудования, аппаратной реализацией методов исследования гетероструктур.
Получение практических навыков работы с диагностическим оборудованием, необходимых для дальнейшей самостоятельной научной работы.
Освоение правил техники безопасности при работе с исследовательским оборудованием.

2.1. В результате изучения дисциплины слушатели должны приобрести следующие знания:

Физические принципы работы и основные технические характеристики различных современных технологических установок диагностики полупроводниковых наногетероструктур.
Типовое научно-технологическое оборудования для характеризации и исследования полупроводниковых структур.

2.2. В результате изучения дисциплины слушатели должны приобрести следующие умения и навыки:

Владеть базовыми методами исследования полупровониковых наногетероструктур.
Владеть базовыми навыками техники безопасности при работе с технологическим и диагностическим оборудованием.
Уметь оформлять технологическую документацию в соответствии с действующими стандартами.
Уметь проводить измерения и экспериментальные исследования полупроводниковых наноструктур методами:

атомно-силовая микроскопия,
динамическая электросиловая микроскопия,
рентгеновская дифрактометрия,
рентгеновская рефлектометрия,
катодолюминесценция,
рентгеноспектральный микроанализ,
сканирующая электронная микроскопия,
просвечивающая электронная микроскопия

3. Содержание курса

3.1. Объем дисциплины и виды учебной нагрузки

Данный научно-исследовательские работы проводятся на базе Центра коллективного пользования Физико-технического института им.А.Ф.Иоффе РАН. Каждая группа, состоящая из двух студентов, выбирает одну из тематик научно-исследовательской работы и совместно с прикрепленным научным руководителем в течении семестра проводит комплексную диагностику объекта исследования. В процессе преподавания курса предусмотрены следующие виды учебной работы:

№	Виды учебной работы	Количество часов (академ. часов)
1	Научно-исследовательская работа	64
2	Самостоятельная работа	32
4	Самоподготовка (самостоятельное изучение лекционного материала и материала учебников, подготовка к практическим занятиям, текущему контролю и т.д.)	28
5	Вид контроля (промежуточный)	Тестирование
6	Вид итогового контроля	Презентация итогов научно-исследовательской работы Зачет с дифференциро-ванной оценкой
7	Трудоемкость дисциплины	96

3.2. Тематический план курса

№	Номер темы дисциплины	Количество часов
		Аудиторная работа					Самостоятельная работа	Всего
		Всего	ЛК	ПЗ	ЛР	Другие виды	Самостоятельная работа	Всего
1	Тема 1. Определение электрического заряда изолированных наноразмерных металлических частиц	64	0	0	0	64	32	96
	Тема 2. Исследование сверхрешеток CaF₂-CdF₂	64	0	0	0	64	32	96
	Тема 3. Исследование диффузии титана в керамике Al₂O₃	64	0	0	0	64	32	96
	Тема 4. Просвечивающая электронная микроскопия опаловых структур	64	0	0	0	64	32	96
	Тема 5. Исследование эпитаксиальных слоев InGaN	64	0	0	0	64	32	96
	Тема 6. Исследование свойств порошковых люминофоров	64	0	0	0	64	32	96
ИТОГО		64	0	0	0	64	32	96

3.3. Содержание курса

Тема 1. Определение электрического заряда изолированных наноразмерных металлических частиц.

Комплексное исследование геометрических и электрофизических свойств коллоидных наноразмерных частиц золота на поверхности слюды. Методика приготовления образцов с наночастицами золота на подложке слюды с использованием коллоидных растворов. Установка сканирующей зондовой микроскопии NT-MDT Solver Pro P47: основные элементы и узлы установки. Зонды для АСМ и ЭСМ измерений. Эффекты конволюции и эффекты, связанные с наличием воды на поверхности. Модель деконволюции. Интерпретация ЭСМ данных. Задачи исследования: 1) исследовать структуру поверхности образца; 2) получить распределение наночастиц по высоте; 3) определить плотность частиц на поверхности; 4) получить распределение фазового контраста, коррелированного с распределением наночастиц на поверхности образца; 5) измерить зависимость величины фазового контраста от напряжения смещения; 6) получить зависимость величины фазового контраста он полярности напряжения смещения. 7) разработать модель деконволюции и провести анализ поверхности с учетом формы кончика зонда; 8) разработать качественную и количественную модель электростатического взаимодействия колеблющегося зонда и заряженной проводящей поверхности. Методы исследования: атомно-силовая микроскопия в режиме полуконтактной моды, динамическая электросиловая микроскопия с постоянным напряжением смещения.
Тема 2. Исследование сверхрешеток CaF2-CdF2.

Изучение структурного совершенства, особенностей интерфейсов и механизмов люминесценции сверхрешеток сверхрешеток на основе фторидов кальция и кадмия, выращенных псевдоморфно на подложке Si ориентации (111). Задачи исследования: 1) определение структурных параметров сверхрешеток: период повторения, толщина всей структуры; 2) определение толщины покрывающего («cap») слоя; 3) определение средней деформации, степени релаксации, среднеквадратичной амплитуды шероховатости интерфейсов; 4) определение электронной плотности приповерхностных слоев; 5) изучение механизмов собственной люминесценции слоев CaF₂ иCdF₂. Методы исследования: рентгеновская дифрактометрия, рентгеновская рефлектометрия, катодолюминесценция, рентгеноспектральный микроанализ.

Тема 3. Исследование диффузии титана в керамике Al₂O₃.

Сапфировая керамика с различные покрытия из TiB₂, ZrС, B₄C, WC. Исследование керамики на основе Al₂O₃ до и после нанесения слоя TiB₂, и термического отжига в атмосфере аргона. Метод получения. Люминесцентные свойства. Диффузия дефектов и примесей в сапфировой керамике. Задачи исследования: 1) определение изменения структуры и свойств сапфировой керамики после нанесения огнеупорного слоя с последующим отжигом; 2) определение размеров зерен керамики до и после отжига; 3) определение распределения титана в керамике и в отдельных зернах; 4) определение глубины диффузии титана в монокристалл сапфира. Методы исследования: рентгеноспектральный микроанализ, катодолюминесценция, сканирующая электронная микроскопия, рентгенодифракционный анализ.
Тема 4. Просвечивающая электронная микроскопия опаловых структур.

Опаловые структуры с различным типом заполнения матрицы: GaN, ZnS, W. Фотонные кристаллы. Фотонная запрещенная зона. Матричный метод создания нанокомпозитов фотонных кристаллов. Методика подготовки образцов для исследования методом просвечивающей электронной микроскопии: плоскопараллельная шлифовка и ионное травление. Метод просвечивающей электронной микроскопии: фазовый и дифракционный (амплитудный) контраст. Схема принципиального устройства просвечивающего электронного микроскопа Задачи исследования: 1) анализ состава заполнения опаловых структур с различным типом заполнения; 2) определение параметров исходной опаловой матрицы (структура, диаметр сфер); 3) определение состава заполнения пустот; 4) определение среднего размера кристаллитов включения и их внутренней структуры. Методы исследования: просвечивающая электронная микроскопия.
Тема 5. Исследование эпитаксиальных слоев InGaN.

Эпитаксиальные слои InGaN, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на буферном слое GaN и подложке c-Al₂O₃. Область спинодального распада InGaN. Эпитаксиальные методы получения слоев InGaN: MBE с плазменной активацией, MOCVD. Широкозонные полупроводниковые нитриды третьей группы (III-N). Задачи исследования: 1) определение зависимости структурных и люминесцентных свойств InGaN от состава твердого раствора; 2) изучение однородности слоя в латеральном и ростовом направлениях. Методы исследования: рентгеновская дифракция, рентгеноспектральный микроанализ, катодолюминесценция.
Тема 6. Исследование свойств порошковых люминофоров.

Рентгеновские люминофоры на основе танталата/ниобата иттрия, легированного тербием Y(Ta_1-xNb_x)O₄:Tb. Метод получения люминофорных порошков активированных ионами Tb³⁺ - метод твёрдофазной реакции из однородной смеси. Люминесцентные свойства широкозонных материалов, активированных редкоземельными ионами. Атомное строение редкоземельных ионов. Влияние кристаллического поля на спектры РЗИ. Методика подготовки образца. Изготовление эталонного образца NaCl для рентгенодифракционного анализа, напыление токопроводящей пленки. Задачи исследования: 1) исследование физических свойств люминофорных порошков на основе танталата/ниобата иттрия, легированного тербием Y(Ta_1-xNb_x)O₄:Tb; 2) определение люминесцентных свойств материала и времени затухания люминесценции; 3) определение размера зёрен порошков; 4) определение размера кристаллитов и параметров кристаллической решётки; 5) определение состава порошков в среднем, а также состава отдельных зёрен. Методы исследования: рентгеноструктурный анализ, локальная катодолюминесценция, сканирующая электронная микроскопия и рентгеноспектральный микроанализ.

3.4. Темы научно-исследовательских работ

Номер темы занятия	Наименование темы исследовательской работы	Количество часов
1	Определение электрического заряда изолированных наноразмерных металлических частиц	64
2	Исследование сверхрешеток CaF₂-CdF₂	64
3	Исследование диффузии титана в керамике Al₂O₃	64
4	Просвечивающая электронная микроскопия опаловых структур с различным типом заполнения	64
5	Исследование структурных и люминесцентных свойств слоев нитридов	64
6	Исследование свойств порошковых люминофоров на основе Y(Ta,Nb)O₄:Tb₃₊	64

3.5. Самостоятельная работа слушателей

3.5.1 Виды самостоятельной аудиторной работы под руководством преподавателя:

• Участие в научно-исследовательской работе.

• Выполнение лабораторных работ.

• Решение тестовых заданий.

3.5.2 Виды самостоятельной аудиторной работы без участия преподавателя:

• Самостоятельное изучение научного материала и учебных пособий.

• Подготовка к исследовательско-практической работе.

• Подготовка к тестированию.

3.6. Перечень вопросов для самостоятельного изучения

Установка сканирующей зондовой микроскопии NT-MDT Solver Pro P47: основные элементы и узлы установки.
Методика приготовления коллоидных наноразмерных частиц золота на поверхности слюды.
Методы получения фторидов кальция (CaF2) и кадмия (CdF2).
Диффузия дефектов и примесей в полупроводниковой матрице.
Методика приготовления образцов для исследований методом просвечивающей микроскопии.
Методика создания искусственных фотонных кристаллов.
Дифракционные картины Кикучи.
Фазовые диаграммы InGaN, область бинодали и спинодали.
Расчет критической толщины эпитаксиального слоя InGaN по модели Пипла-Бина и Мэтьюза-Блэксли.
Теория групп и теория возмущения для расчета расщепление энергетического спектра центрального атома в поле легандов.

4.1. Формы контроля по курсу.

Предполагается выставление оценок по результатам промежуточного теоретического теста и выполнения научно-исследовательских работ. В конце учебной работы принимается итоговый зачет.

По окончании работ студенты готовят научный отчет, а также презентацию с результатами, полученными в течение семестра. В Центре коллективного пользования проходит защита этих работ студентами, при присутствии сотрудников Центра, преподавателей Академического университета и представителей проектных компаний. Каждой подгруппе студентов предоставляется 15 минут на презентацию своей работы. Затем следует обсуждение и ответы на дополнительные вопросы комиссии. По окончании выступлений комиссия из присутствовавших на защите преподавателей Академического университета, сотрудников Центра и представителей проектных компаний выставляет оценку каждой подгруппе учащихся.

4.2. Порядок проведения экзамена.

Экзамен устанавливается как форма аттестации по дисциплине.

Экзамен охватывает содержание изучаемой дисциплины. Срок и место проведения экзамена планируется расписанием. Экзамен принимается преподавателем - лектором.

Обучаемый допускается к сдаче экзамена, если он выполнил полностью все виды работ, предусмотренные рабочей программой.
4.3. Критерии оценки знаний, умений, навыков

Критерии оценки.

При оценивании знаний слушателей по результатам выполнения научно-исследовательской работы

Оценка «отлично» выставляется, если:

усвоена теоретическая часть исследования;
правильно сформулирована цель исследования;
правильно изложен алгоритм выполнения исследования;
исследование выполнено по утвержденной процедуре и соответствует полученному заданию;
выводы грамотно сформулированы, обоснованы и соответствуют полученной информации;
слушатель правильно и аргументировано ответил на все вопросы при защите результатов исследования.

Оценка «хорошо» выставляется, если:

усвоена теоретическая часть исследования;
правильно сформулирована цель исследования;
допущены неточности при изложении алгоритма выполнения исследования;
исследование выполнено по утвержденной процедуре и соответствует полученному заданию;
не все выводы соответствуют полученной информации, нарушена логика изложения материала;
слушатель правильно ответил на 80% вопросов при защите результатов исследования.

Оценка «удовлетворительно» выставляется, если:

не полностью усвоена теоретическая часть исследования;
правильно сформулирована цель исследования;
допущены неточности при изложении алгоритма выполнения исследования;
исследование выполнено, но с нарушением утвержденной процедуры;
структура исследования не полностью соответствует полученному заданию;
не все выводы соответствуют полученной информации, нарушена логика изложения материала;
слушатель правильно ответил на 50% вопросов при защите результатов исследования.

Оценка «неудовлетворительно» выставляется, если:

не усвоена теоретическая часть исследования;
не правильно сформулирована цель исследования;
не изложен алгоритм выполнения исследования;
структура исследования не соответствует полученному заданию;
выводы не обоснованы, нарушена логика изложения материала;
в исследовании допущены ошибки;
слушатель не ответил правильно на 50% вопросов при защите результатов исследования.

При оценивании знаний слушателей при проведении промежуточного теоретического теста и итогового экзамена:

Оценка «отлично» выставляется, если слушатель правильно ответил на 85-100 % вопросов теста (экзамена).

Оценка «хорошо» выставляется, если слушатель правильно ответил на 70-84% вопросов теста (экзамена).

Оценка «удовлетворительно» выставляется, если слушатель правильно ответил на 50-69 % вопросов теста (экзамена).

Оценка «неудовлетворительно» выставляется, если слушатель не ответил правильно на 50% вопросов теста (экзамена).

5. Учебно-методическое обеспечение курса

5.1. Вопросы для подготовки к экзамену:

Атомно-силовая микроскопия в режиме полуконтактной моды, динамическая электросиловая микроскопия с постоянным напряжением смещения.
Эффекты конволюции и эффекты, связанные с наличием воды на поверхности.
Фториды кальция (CaF2) и кадмия (CdF2) – кристаллическое строение, структурные и электронные свойства.
Люминесцентные свойства сапфира.
Влияние отжига на сапфировую керамику.
Фотонные кристаллы, фотонная запрещенная зона.
Методы формирования изображения: метод дифракционного (амплитудного) контраста, метод фазового контраста.
Свойства нитридов III группы InN, GaN и AlN.
Технология эпитаксиального роста нитридов III группы.
Правило Лапорта для переходов между уровнями электронов 4f-оболочки.
Теория кристаллического поля.

5.2. Список рекомендуемой основной и дополнительной литературы

5.2.1. Основная литература

T. Mélin, H. Diesinger, D. Deresmes, and D. Stiévenard «Electric force microscopy of individually charged nanoparticles on conductors: An analytical model for quantitative charge imaging», Phys. Rev. B, Vol. 69(3), (2004).
Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Перевод с англ. И.Л. Шульпиной и Т.С. Аргуновой -СПб:Наука, 2002. -274 с.
Кортов В.С., Мильман И.И., Никифоров В.С., Пеленев В.Е.// Физика тв. тела. 2003, Т. 45, Вып. 7, С. 1202.
Д. Синдо. Т. Оикава. Аналитическая просвечивающая электронная микроскопия. М.: Техносфера, 2006, 256 с.
J. Wu et al. Appl. Phys. Lett. (2002) Vol. 80, № 25, pp. 4741-4743.
Г.К. Маляревич, Н.В. Гапоненко, А.В. Мудрый, Ю.Н. Дроздов и др., «Фотолюминесценция ионов Tb3+ в ксерогелях алюмоиттриевых гранатов», Физика и техника полупроводников, 2009, том 43, вып. 2.

5.2.2 Дополнительная литература

В.Л. Миронов «Основы сканирующей зондовой микроскопии», Учебное пособие для студентов старших курсов ВУЗов, ИФМ РАН, 2004
Ebenstein Y., Nahum E., Banin U. «Tapping Mode Atomic Force Microscopy for Nanoparticle Sizing: Tip-Sample Interaction Effects», Nano Letters, 2 (9), 945-50, 2002.
M. Birkholz. Thin Film Analysis by X-Ray Scattering. – Weinheim:WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA. 2006. - 356 p.
Practical Electron Microscopy and Its Application to Materials (Supervisor K. Maruyama, Editor-in-chief K. Nakai), Iron Steel Institute of Japan and Japan Institute of Metals, 2002.
M.D. McCluskey et al. J. Appl. Phys. (2003) Vol. 93, № 7, pp. 4340-4342.
А.Н. Трофимов, М.В. Заморянская, «Характеризация излучающих центров в широкозонных материалах методом локальной катодолюминесценции на примере активированного европием иттроалюминиевого граната», Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2009, №1, с. 18-24.

5.2.3. Интернет-ресурсы

http://www.matprop.ru/ - База данных физических свойств полупроводниковых материалов
http://www.webelements.com/– Справочник химических элементов
http://thesaurus.rusnano.com/ – Словарь основных нанотехнологических терминов РОСНАНО
http://www.rp-photonics.com/encyclopedia.html/ - Энциклопедия лазерной физики и технологии
http://www.rodenburg.org/ Справочник по просвечивающей электронной микроскопии

Российская Академия наук
Учреждение Российской академии наук

Санкт-Петербургский Академический университет –
научно-образовательный центр нанотехнологий РАН

«УТВЕРЖДАЮ»

Проректор по высшему образованию

д.ф.-м.н., чл.-корр. РАН А.Е.Жуков

_____________________
Программа лабораторно-практической работы

«Определение электрического заряда изолированных наноразмерных металлических частиц»
образовательной программы опережающей профессиональной подготовки (уровень – магистратура), ориентированной на потребности проектных компаний ОАО «Роснано», реализующих инвестиционные проекты в области твердотельной светотехники

Кафедра Физики и технологии наногетероструктур

Санкт-Петербург

2011

Программа составлена: В.В. Гончаров
Программа курса рассмотрена и утверждена на заседании Президиума Ученого совета СПб АУ НОЦНТ РАН, протокол № ПР-9/2011 от «14» апреля 2011 г.
Ректор СПб АУ НОЦНТ РАН академик РАН Ж.И.Алферов
Начальник учебного управления О.Н. Колобова

1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 27

	2. Характеристика профессиональной деятельности выпускников и требования... Основная профессиональная образовательная программа профессионального образования по специальности 110809 Механизация сельского хозяйства...		Образовательный стандарт послевузовской профессиональной подготовки... «рентгенология», образовательные программы и тестовые задания разработаны сотрудниками курса лучевой диагностики кафедры хирургии...
	Рабочая программа учебной дисциплины является частью основной профессиональной... Место учебной дисциплины в структуре основной профессиональной образовательной программы		I. Общая характеристика программы Основная образовательная программа... Сведения о профессорско-преподавательском составе, необходимом для реализации образовательной программы
	Аннотация Примерной основной профессиональной образовательной программы... Лям)» предполагает освоение обучающимися основной профессиональной образовательной программы (опоп) углублённой подготовки (срок...		Программа дисциплины «Современные методы анализа социологических данных» Основной методологический принцип, используемый в курсе – тщательное отслеживание модели, заложенной в каждом методе, анализ смысла...
	Рабочая программа Налоги и налогообложение (наименование учебной... Программа учебной дисциплины является частью основной профессиональной образовательной программы в соответствии с фгос по специальности...		Программа профессионального модуля «методы приборно-технологического... Программа профессионального модуля является частью профессиональной образовательной программы переподготовки специалистов по
	Программа учебной дисциплины «электрохимические методы осаждения... Программа учебной дисциплины является частью профессиональной образовательной программы переподготовки специалистов по профессии		Пояснительная записка рабочая программа составлена на основе примерной... Икт (базовый уровень), программы базового уровня курса «Информатика и икт» (Н. Д. Угринович)// Программы для общеобразовательных...

Похожие: