О деятельности российской
Скачать 3.92 Mb.
|
Теория конденсированного состояния. На основе анализа по холловскому сопротивлению в пиролитическом графите показано, что в объемном графите имеются два типа носителей заряда: массивные электроны и дираковские (безмассовые) дырки, что приводит к существованию предшественников двух типов квантового эффекта Холла: целого (нормального) и полуцелого («релятивистского», как в графене). Этот результат указывает, что сильно анизотропный графит проявляет свойства стопки двумерных графеновых слоев и является первым примером трехмерной системы, в которой имеется два топологически разных типа квантового эффекта Холла. Обнаружено, что случайные мелкомасштабные силы, приложенные к тонким слоям жидкости, ведут к появлению крупномасштабного регулярного потока, состоящего из нескольких вихрей, разделенных гиперболической областью. Механизм формирования когерентной структуры из хаоса применен для анализа атмосферных явлений. (ИТФ РАН) Предложена точно решаемая модель системы ориентированных асимметричных рассеивателей, демонстрирующая возникновение постоянного тока без тянущего поля под действием электромагнитного излучения (фотогальванический эффект). Дана интерпретация экспериментов с решетками антиточек. (ИФП СО РАН) Построена теория графена при низких температурах и наличии беспорядка различных типов. Показано, что экспериментальные данные соответствуют модели сильных примесей, сохраняющих «киральную» симметрию. (ИТФ РАН) Физика низких температур. В двумерной сильно взаимодействующей электронной системе на поверхности Si с помощью варьирования магнитным полем проводимости и межэлектронного взаимодействия выявлено согласие эксперимента с теорией, предсказывающей существование квантового фазового перехода металл-диэлектрик. Полученные результаты опровергают сложившееся ранее представление о невозможности металлического состояния как основного в двумерных системах. (ФИАН, ИТФ РАН) Зарегистрированы сигналы продольного ЯМР в обеих сверхтекучих фазах 3Не в аэрогеле. В А-подобной фазе обнаружены новые спиновые состояния и исследованы их свойства, что существенно для идентификации параметра порядка этой фазы. Изучена наблюдаемая в сверхтекучем 3Не-В «катастрофическая» релаксация спина. Показано, что причиной такой релаксации является неоднородность прецессии спина, аналогичная суловской неустойчивости в магнетиках. (ИФП РАН) Сверхпроводимость. В результате оптимизации технологии получения п-контак-тов сверхпроводник-ферромагнетик-сверхпроводник получены высокие значения критической плотности тока в п-состоянии (выше 103 А/см2), что позволяет использовать эти элементы в современных сверхпроводящих логических структурах. Реализована комплементарная логическая ячейка. (ИФТТ РАН) Построена теория дважды упорядоченного сверхпроводящего состояния с сосуществованием кулоновского спаривания с большим импульсом пар и электрон-фононно-го спаривания с нулевым импульсом. Теория позволила объяснить ключевые проблемы высокотемпературной сверхпроводимости купратов: аномалии изотопического эф- 15 фекта, особенности оптических свойств при низких и высоких частотах, зависимость критической температуры от числа слоев СиО2 в элементарной ячейке, аномально широкую область температурных флуктуации. (ФИАН) Получено первое доказательство, что в ВТСП-купратах в псевдощелевом состоянии сохраняются неоднородно распределенные спиновые корреляции даже после подавления сверхпроводимости и локальных сверхпроводящих корреляций (ФИАН; CNRS, Grenoble, France; Laboratoire National des Champs Magnetiques Pulses, Toulouse, France). Определен механизм возникновения сверхпроводимости в соединении ZrB12 с нанокластерами бора. Установлено, что электрон-фононное взаимодействие и сверхпроводимость в этом соединении определяются эйнштейновской локальной модой. (ИОФ РАН) Предложен механизм спектрального потока квазичастиц и перекачки заряда в джозефсоновских контактах типа сверхпроводник-изолятор-нормальный металл-изолятор-сверхпроводник (SINIS) с адиабатически зависящим от времени потенциалом N-области. Показана возможность существования гигантских ступенек Шапиро на ВАХ с амплитудой, существенно превосходящей значение критического тока контакта. (ИФМ РАН) Физика магнитных явлений. Показано, что в магнитных диэлектриках фс лазерные импульсы возбуждают осцилляции спиновой системы. Обнаружено два механизма фотомагнитного возбуждения антиферромагнитного резонанса - тепловой и нетепловой. Обнаруженные явления по сверхбыстрому управлению спиновой системой с помощью света - новое направление в физике магнитных явлений. (ФТИ РАН) Впервые сформулирован феноменологический подход к описанию спинового транспорта в многослойных металлических ферромагнетиках. Определены условия согласования спиновых потоков и химических потенциалов на границах слоев неколли-неарных ферромагнетиков. Установлены два основных механизма влияния тока на магнитное состояние слоев: крутильный момент и инжекция продольных неравновесных спинов. Сделаны оценки основных параметров и указаны условия реализации нового эффекта лазерной генерации. (ФИРЭ РАН) В двумерных электронных системах обнаружены индуцированные электромагнитным излучением осцилляции магнетосопротивления, соответствующие субгармоникам циклотронного резонанса с номерами 2, 3 и 4. Осцилляции наблюдаются только при частотах излучения ниже пороговых, а их величина зависит от номера субгармоники и качества образца. Показано, что основной эффект излучения состоит в создании неравновесной функции распределения электронов за счет беспорядка на уровнях Ландау. (ИФТТ РАН) Обнаружено нетепловое сверхбыстрое изменение магнитного состояния среды при воздействии на нее коротких (~100 фс) линейно-поляризованных лазерных импульсов. На примере антиферромагнетика FeBO3 экспериментально показано, что такие импульсы действуют на магнитную среду как эффективное магнитное поле. Ранее считалось, что такое воздействие реализуется только для циркулярно-поляризованного света за счет обратного эффекта Фарадея. Экспериментальное наблюдение нового явления расширяет представление о сверхбыстрых воздействиях на магнитное состояние вещества и на возможности переключения намагниченности короткими лазерными импульсами. (ФТИ РАН) Установлено, что Ag-допированные манганиты La1_xAgxMnO3, исследованные в области температур 4-350 К и в магнитных полях до 26 кЭ, претерпевают фазовый переход металл-диэлектрик вблизи комнатных температур с эффектом колоссального маг-нитосопротивления, достигающим 57% в поле 11 кЭ. (ИФ ДагНЦ РАН) Физика высоких давлений. В сверхпроводящем алмазе с высоким уровнем допирования бором (от 2 до 4%) обнаружен аномально высокий коэффициент теплового расширения, превышающий в десятки раз его значения для чистого алмаза при низких 16 температурах. Указанный эффект обусловлен локальным смягчением решетки вблизи атомов бора, что в свою очередь определяет само существование сверхпроводимости в данном материале. Путем инфильтрации алмазного порошка медью (9-13 вес. %) под давлением 7-8 ГПа получен теплоотводящий материал с рекордными для композиционных материалов значениями теплопроводности (~900 Вт/мК), сравнимыми с теплопроводностью чистого алмаза. Полученный материал перспективен для использования в качестве подложек в микроэлектронике. (ИФВД РАН) Физика полупроводников. Обнаружена и исследована крупномасштабная когерентность Бозе-конденсата двумерных диполярных экситонов. Явление возникает в системе экситонов с сильным отталкивательным взаимодействием при Бозе-конденсации в латеральной ловушке в форме кольца. Коллективное состояние характеризуется большими длинами пространственной когерентности и разрушается при увеличении температуры из-за флуктуации параметра порядка. Прямым способом измерена дисперсия циклотронной моды композитных фермио-нов путем оптического детектирования при комбинировании акустического и микроволнового циклотронного резонансов композитных частиц вблизи факторов заполнения У2. Обнаружено, что интенсивность микроволнового резонансного поглощения пропорциональна четвертой степени волнового вектора акустической волны и прямо-пропорциональна ее мощности. (ИФТТ РАН) Предложен новый механизм спинового эффекта Холла, который связан с линейными по волновому вектору спин-зависимыми слагаемыми в амплитуде рассеяния и доминирует в структурах с высокой подвижностью. Обнаружено новое явление - циркулярный эффект увлечения электронов фотонами. Теория эффекта, развитая для меж-подзонных оптических переходов в квантовых ямах, показывает, что явление имеет спиновую природу. (ФТИ РАН) Создан высокоподвижный двумерный электронный газ на цилиндрической поверхности на основе GaAs, подвижность электронов в котором превышает 240 тыс. см2/Вс и в котором впервые продемонстрирован баллистический режим транспорта электронов. Реализован двумерный баллистический волновод, равномерно изогнутый в направлении квантования, с асимметрией магнитосопротивления для противоположных направлений магнитного поля более 1000. На основе полученных результатов дано объяснение наблюдаемым эффектам. Выращены высококачественные структуры с квантовыми ямами CdTe/HgTe/CdTe с толщинами слоев HgTe 16 нм и 21 нм с концентрациями в двумерном электронном газе порядка (1,4-2,2) • 1011 см~2 и подвижностями (1,5-2,5) • 105 см2/Вс. Значения подвижности являются рекордными для соответствующих концентраций электронов. На этих структурах впервые наблюдался индуцированный магнитным полем квантовый хол-ловский переход жидкость-изолятор и переход с плато на плато в высокоподвижном двумерном электронном газе в квантовых ямах HgTe. (ИФП СО РАН) Предсказано и обнаружено экспериментально явление кооперативной рекомбинации электрон-дырочной плазмы, созданной фс лазерным импульсом в полупроводниковой структуре с квантовыми ямами, помещенной в сильное поперечное магнитное поле. Тем самым показана возможность осуществления генерации фс импульсов сверхизлучения при постоянной инжекционной накачке. (ИПФ РАН) Теоретически предсказан и описан эффект плазменного увлечения электронов в структуре полевого транзистора с двумерным электронным каналом и решеточным затвором большой площади. На основе этого эффекта дано качественное объяснение явления терагерцовой фотопроводимости, наблюдаемой экспериментально в указанной структуре. (СФ ИРЭ РАН, Kingsborough College, The City University of New York, США) Обнаружен эффект вынужденного комбинационного рассеяния света на мелких донорах в кремнии, который сопровождается усилением электромагнитных волн в тера- 17 герцовом диапазоне частот. Тем самым показана возможность создания полупроводникового лазера терагерцового диапазона, который не требует инверсной населенности и может быть перестраиваемым по частоте изменением частоты оптической накачки. Обнаружено и исследовано стимулированное излучение на длинах волн 1,4 -ь 4,5 мкм и генерация комбинационных гармоник с наибольшей длиной волны 8 мкм из варизонных структур на основе Cd^Hg^Te при накачке импульсным Nd:YAG лазером. Предложен механизм генерации комбинационных гармоник. В эпитаксиальных БкЕг-слоях при токовом возбуждении обнаружена задержанная люминесценция, включающаяся коротким импульсом обратного смещения и обусловленная ударным возбуждением эрбия запасенными в ловушках электронами. Эффективность возбуждения такой люминесценции на два порядка выше, чем при ударном и инжекционном механизмах возбуждения Si:Er в p-n-переходе, а время жизни электронов в ловушках достигает 100 мс. Предложено применение диодов со встроенным Si:Er слоем для элементов электрооптической памяти. (ИФМ РАН) Реализованы квазинульмерные микрорезонаторы на основе GaAs с InAs квантовыми точками с добротностью 15000, в которых достигается режим сильного взаимодействия фотона и двух экситонов в пространственно-разделенных квантовых точках. Показано, что в этих условиях возникает новый тип взаимодействия между экситонами в двух квантовых точках через магнитное поле фотона в резонаторе. (ИФТТ РАН) Разработана технология создания трехмерных высококонтрастных фотонных кристаллов высокого совершенства на основе композита опал-полупроводник. В оптических экспериментах с фс временным разрешением впервые продемонстрирована возможность сверхбыстрого (~100 фс) управления световыми потоками на основе композитов опал-Si и опал-У02. Обнаружен эффект анизотропии времен спиновой релаксации в низкоразмерной гетероструктуре специального дизайна по зависимости ширины контура Ханле от ориентации магнитного поля в плоскости ямы. Предложен дизайн оптимальной структуры для создания приборов, использующих спиновые степени свободы с максимально длинными временами спиновой релаксации. (ФТИ РАН) Разработан однофотонный излучатель на основе одиночной InAs квантовой точки с токовой накачкой через оксидную апертуру субмикронного размера. (ИФП СО РАН, Институт физики твердого тела, г. Берлин) Исследованы эффекты, обусловленные резонансным туннелированием в структурах с квантовыми ямами и в свехрешеточных структурах. Построена микроскопическая модель резонансно-туннельного транспорта, позволяющая из первых принципов осуществлять расчет зависимости туннельного тока от приложенного вдоль оси роста структуры электрического поля для широкого класса структур, в том числе для структур с малыми энергиями размерного квантования. (ФИАН) Методом межслоевого туннелирования на слоистых наноструктурах на основе NbSe3 и TaS3 внутри пайерлсовской щели обнаружены состояния двух типов, которые связываются с энергиями амплитудных и фазовых возбуждений несоизмеримой волны зарядовой плотности (ВЗП). Найденные величины соответствуют возбуждениям амплитудных солитонов ВЗП и фазовых вихрей (или дислокационных линий) ВЗП. Показано, что последовательное вхождение дислокационных линий в туннельный переход слоистой структуры сопровождается появлением ступенчатой структуры, квазипериодической по напряжению смещения. (ИРЭ РАН; Центр Исследований при низких температурах, Гренобль; Лаборатория теоретической физики и статистических моделей, Орсэ, Франция; Национальный институт исследования материалов, Япония; Лос-Ала-мосская национальная лаборатория, США) Структура и свойства кристаллов. Предложен и теоретически обоснован фазон-ный механизм фазового перехода в квазикристаллах. Исследован переход икосаэдри-ческого квазикристалла в кристалл с кубической симметрией. Показано, что при фа- 18 зонном механизме переход носит длительный, диффузионный характер и время перехода сильно зависит от размеров квазикристаллов. (ИФМК УНЦ РАН) Методом рентгеноструктурного анализа с использованием синхротронного излучения определены пространственные структуры лакказ Coriolus zonatus и Cerrena maxima, что служит основой для установления структурно-функциональной взаимосвязи данного класса ферментов. (ИКАН) Начата регулярная эксплуатация первой в России станции белковой кристаллографии («Белок») на накопителе «Сибирь-2». (РНЦ КИ, ИКАН) Физика поверхности. Предложен новый механизм образования наноструктур на поверхности твердых тел при лазерном облучении поверхности. В его основе лежит нелинейная релаксация температурных напряжений, которая носит гетерогенный характер. Определены условия и величина критического порога напряжений, с превышением которого в облучаемом твердом теле реализуются новые «когерентные» состояния - периодические наноструктуры. Предсказана возможность получения наноструктур с периодом 50-100 нм. (ИОФ РАН) Разработан метод получения металлоуглеродных гибридных наноструктур на основе графитовых нановолокон и металлов II группы путем высокотемпературного химического осаждения из паровой фазы. Изготовлены образцы наноструктур с сорбци-онной емкостью по водороду до 4,9 ± 0,7% (масс). Структуры перспективны для водородной энергетики в качестве материала-аккумулятора автономных систем хранения водорода. (ИФТТ РАН) Обнаружены и исследованы обратимые структурные фазовые переходы в низкоразмерных системах, образованных атомами металлов (In, T1) на поверхности Si(lll). Установлено, что псевдоморфный слой In, имеющий при комнатной температуре квазигексагональную структуру л/7 х л/3, при охлаждении в диапазоне температур от 265 до 225 К приобретает структуру л/7 х л/7, а охлаждение до более низких температур приводит к формированию набора длиннопериодических структур. (ИАПУ ДВО РАН) Оптика. Квантовая электроника |
Похожие:
 | Российской Федерации» и постановления Правительства Российской Федерации от №1142 и Указа Президента Российской Федерации от 28 июня... | | Курганской области переданы полномочия Российской Федерации в части лицензирования фармацевтической деятельности (за исключением... |
| Фз «Об основах государственного регулирования торговой деятельности в Российской Федерации» с целью создания системы государственного... |  | Управление Министерства юстиции Российской Федерации по Алтайскому краю напоминает некоммерческим организациям о необходимости исполнения... |
| Уставом (Основным законом) Омской области, Уставом Калачинского городского поселения определяет права, обязанности и ответственность... | | Российской Федерации в области банковской и страховой деятельности настоящие Правила регулируют отношения, возникающие между Страховщиком... |
| Правил отнесения видов экономической деятельности к классу профессионального риска, утвержденных Постановлением Правительства Российской... | | Федеральным законом от 04. 05. 2011 №99-фз «О лицензировании отдельных видов деятельности» и Правилами подготовки и предоставления... |
| ... | | Лицензирование образовательной деятельности осуществляется в соответствии с законодательством Российской Федерации о лицензировании... |