ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В результате проделанной работы можно сделать следующие выводы:
Были рассчитаны параметры имплантации и теоретические профили распределения примесей в матрице кремния с использованием программного комплекса SRIM.
С помощью программы HEAD произведен расчет глубинных профилей распределения примесей в матрице кремния сразу после имплантации и после отжигов.
Проведено сравнение расчетных теоретических (SRIM) и экспериментальных (HEAD) данных распределения примесей по образцу.
С помощью программы Origin оценены потери примеси в результате горячих условий имплантации.
С помощью программного комплекса Adobe Photoshop посчитана гистограмма распределения нанокластеров по размерам и доказано, что примесные квантовые точки в кремнии имеют в среднем размер около 20-25 нм и гауссову форму распределения по размерам.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
K. D. Hirschman, L. Tysbekov, S. P. Duttagupta, P. M. Fauchet, Nature 384 (1996) 338.
Ф. Ф. Комаров, О. В. Мильчанин, Л. А. Власукова, В. Веш, А. Ф. Комаров,
А. В. Мудрый, Известия РАН. Сер. Физическая 74. (2010) 323 с.
O. Jambois, H. Rinnert, X. Devaux, M. Vergnat, J. Appl. Phys. 98 (2005) 046105.
Гайдук П.И., Леонтьев А.В., Людчик О.Р. Анализ элементного состава материалов электроники методом резерфордовского обратного рассеяния легких ионов, метод. пособие, Минск, 1996.
Гегузин Я.Г. Физика спекания. Наука, Москва, 1984.
L Vescan, T. Stoica, J. Luminesc. 80 (1999) 485.
Гуткин М.Ю., Микаэлзян К.Н., Овидько И.А. Физика тв. Тела T.37 c.552 (1995).
Суздалев И.П., Буравцев В.Н., Имшенник В.К., Новичихин С.В. Хим.физика T.12 c.555 (1993).
White C.W., Budai J.D., Zhu J.G. et al. Appl. Phys. Lett. V.68 P.2389-2391 (1996).
Tchebotareva A.L., Brebner J.L., Roorda S., White C.W. Nucl. Instr. And Meth. In Phys. Res. V.175-177 P.187-192 (1997).
Komarov F., Vlasukova L., Wesch W., Kamarov A., Milchanin O., Grechnyi S., Mudryi A., Ivaniukovich A. Nucl. Instrum. Meth. V.266 P.3557 (2008).
Шипатов Э.Т. Обратное рассеяние быстрых ионов. Теория, эксперимент, практика. – Издательство Ростовского университета, 1988. – 160 с.
Meldrum A. J. Mater. Res. V.16 P.2670-2679 (2001).
Heitz R., Ledentsov N. N., Bimberg D. et al. Physica E. V. 7 P. 317–321 (2000).
Landölt M., Börnstein J. Series "Numerical data and functional relationships in science and technology". New series. - Berlin-Heidelberg: Springer-Verlag, 1982.
Michael J. Pelletier. Analytical applications of Raman Spectroscopy. Science, 478 p. (1999).
Ф. Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, А.И. Купчишин, А.К. Тогамбаева, Т.А. Шмыгалёва. Применение высокодозной ионной имплантации для синтеза кристаллических преципитатов InAs в Si//Известие высших учебных заведений. Физика.-2008. №11.-с.31-37.
Комаров Ф.Ф., Власукова Л.А., Мильчанин О.В, Дунец Б.С., Веш В., Мудрый А.В., Карпович В.Б. Доклады НАН Беларуси, T.55 №2 c.40–46 (2011).
ПРИЛОЖЕНИЕ А Предметный указатель к реферату
HEAD 6, 7, 13, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 22
Origin 6, 7, 11, 22, 25
Photoshop 6, 7, 14, 19, 20, 22, 25
SRIM 6, 7, 9, 10, 11, 15, 18, 19, 20, 22
WinDF 6
гистограмма 22
Ионная имплантация 8, 9
квантовые точки 22
кремний 5, 6, 22
микроскопия 4, 14
примесь 5, 6, 7, 8, 11, 13, 15, 22
профиль распределения 6, 16, 18, 22
ПЭМ 4, 6, 7, 17, 19, 20
резерфордовское рассеяние 11
РОР 4, 16, 17, 18
энергия имплантации 11
ПРИЛОЖЕНИЕ Б Интернет ресурсы в предметной области исследования
http://vak.org.by – сайт Высшей аттестационной комиссии Республики Беларусь. Здесь собраны все нормативные акты, касающиеся оформления и защиты диссертаций.
http://srim.org/SRIM%20Book.htm – По данной ссылке можно найти руководство по пользованию программой SRIM.
http://srim.org/ – сайт, посвященный программе SRIM, моделирующей процесс ионной имплантации примеси.
http://adobe.com/products/photoshopextended.html – сайт, посвященный комплексному продукту Adobe Photoshop, с помощью которого можно оценить распределение нанокластеров по размерам.
http://www.originlab.com/ – официальный сайт графического пакета Origin. Содержит множество примеров и статей по использованию программы.
http://ieee.org/index.html – сайт Института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике (The Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE). В настоящее время в IEEE самое большое всемирное техническое общество учёных и исследователей, профессионально связанных с электротехникой, радиоэлектроникой, компьютерами.
http://springerlink.com/ – Поисковый сайт по разнообразным научным журналам (Applied Physics B: Lasers and Optics, Lasers in Medical Science и др.). обеспечивает эффективный поиск, многие статьи предоставляются бесплатно.
http://apl.aip.org/ – Сайт журнала Аpplied Рhysics Letters – одного из наиболее популярных в мире журналов. Публикует результаты как экспериментальных так и теоретических исследований. К сожалению, платный.
http://www.elsevier.com/ – один из крупнейших издательских домов мира, который ежегодно выпускает около четверти всех статей из издаваемых в мире научных журналов.
http://www.sciencedirect.com/ – один из крупнейших в мире онлайн сборников опубликованных научных исследований. Для большинства статей аннотации находятся в свободном доступе, для получения полных текстов статей (в PDF, HTML, а также для новых изданий) необходима подписка или оплата.
ПРИЛОЖЕНИЕ В Действующий личный сайт в WWW
http://xmaxfast.narod2.ru/
ПРИЛОЖЕНИЕ Г Граф научных интересов
Магистранта Моховикова М.А. факультет радиофизики и компьютерных технологий
Специальность 01.04.04 - физическая электроника
Смежные специальности
01.04.10 – физика полупроводников, физ.-мат., техн.
|
Методы получения, измерения параметров и модификации полупроводниковых материалов.
Химический состав, структура и физические свойства полупроводниковых материалов.
Модификация химического состава, структуры и физических свойств полупроводниковых материалов.
|
05.27.01 – твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
|
Создание и функционирование изделий твердотельной электроники, радиоэлектронных компонентов и систем микро- и наноэлектроники, приборов на квантовых эффектах, нано- и микросенсоров.
Функциональные и эксплуатационные характеристики изделий и устройств по п. 1., включая качество, долговечность, надежность и стойкость к внешним воздействиям, а также эффективность их применения в технике.
|
|
Основная специальность
01.04.04 – Физическая электроника
|
Полупроводниковая электроника и микроэлектроника: поиск и исследование новых полупроводниковых, диэлектрических и проводящих материалов для цепей электроники и микроэлектроники.
Совершенствование методов модификации свойств поверхности твердых тел с помощью потоков заряженных частиц.
Наноэлектроника: теоретические и экспериментальные исследования квантово-размерных эффектов. Разработка физических принципов функционирования приборов наноэлектроники
|
|
сопутствующие
05.16.08 – нанотехнологии и наноматериалы (элетроника)
|
Формирование и свойства наноразмерных структур и наноматериалов. Квантовые точки, квантовые шнуры, квантовые пленки. Свойства материалов с наноструктурами в обьеме и на поверхности твердых тел.
|
05.27.06 – технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техноки.
|
Физико-химические процессы, протекающие при синтезе и выращивании кристаллических и аморфных материалов в объемном и пленочном состоянии для различных областей электронной техники.
Исследование элементного состава кристаллов и слоев, их кристаллической структуры и микроструктуры.
|
| ПРИЛОЖЕНИЕ Д Тестовые вопросы по ОИТ
(Моховиков Максим) 1 Язык разметки гипертекста это –
CSS
Java
HTML
SQL
(Моховиков Максим) 2 Для создания заголовков нужно знать тег:
ПРИЛОЖЕНИЕ E Презентация магистерской диссертации
 
 
 
 
 
 
 
 
|
