О деятельности российской
Скачать 3.48 Mb.
|
Физика высоких давлений. Обнаружена обратимая металлизация фуллерита С60 без изменения кристаллической структуры в диапазоне давлений 10-20 ГПа. (ИФТТ РАН, ИТЭС ОИВТ, ИПХФ РАН)В рамках термодинамической теории возмущений показано существование фазового перехода жидкость-жидкость, заканчивающегося критической точкой. Показано, что в окрестности перехода наблюдается аномальный отрицательный коэффициент теплового расширения. (ИФВД РАН) Физика полупроводников. Экспериментально обнаружена Бозе-конденсация межъямных экситонов в двойных квантовых ямах, содержащих крупномасштабные флуктуации случайного потенциала в плоскостях гетерограниц. Построена фазовая диаграмма, очерчивающая область экситонного конденсата. (ИФТТ РАН) Впервые при комнатной температуре получена конденсация электронно-дырочных пар в полупроводнике. Обнаружено, что в режиме сверхизлучения, наблюдавшегося в гетероструктуре GaAs/AlGaAs, электроны и дырки образуют нестационарный когерентный ансамбль, по свойствам похожий на ансамбль куперовских пар в сверхпроводнике. (ФИАН) В слое n-GaAs обнаружено и объяснено рекордно большое (300 нс) время спиновой релаксации электронов, локализованных на донорах. Найден способ оптического управления этим временем в пределах двух порядков величины, что важно для новой области – спинтроники. (ФТИ РАН) Обнаружены и объяснены циркулярный фотогальванический и спин-гальванический эффекты, возникающие в низкоразмерных полупроводниковых структурах при оптической ориентации носителей, но не связанные с пространственной неоднородностью в плоскости интерфейса. (ФТИ РАН) Разработаны оптические методы изучения фотоэлектрических свойств широкозонных полупроводников, основанные на возбуждении динамических решеток пространственного заряда в фоточувствительных средах и регистрации индуцированного нестационарного фототока при разных температурах и электрических полях. (ФТИ РАН) При комнатной температуре получена фотолюминесценция в области 1,5 мкм в одно- и многослойных гетероструктурах с GeSi-наноостровками. Предложен и подтвержден экспериментально механизм, объясняющий фотолюминесценцию наноостровков GeSi. (ИФМ РАН) Разработаны для ближней ИК области Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge, имеющие, по сравнению с аналогами, самую низкую величину темнового тока, а квантовую эффективность, близкую к достигнутой в фотоприемниках на основе напряженных многослойных сверхрешеток Ge/Si. (ИФП СО РАН) Методом химических транспортных реакций получены гетероэпитаксиальные структуры n-ZnO/p-GaN/-Al2O3 для оптоэлектроники в сине-голубой области спектра. Получен p-n переход с коэффициентом выпрямления 100, изучены излучательные характеристики. (ИФ ДНЦ РАН) Обнаружены пиннинг и расталкивание термов при диамагнитном сдвиге в двумерной электронной системе дельта-легированного слоя, расположенного вблизи поверхности GaAs. Эффект интерпретируется как проявление резонансного межподзонного полярона. (ИРЭ РАН, Международная лаборатория сильных магнитных полей, Польша) В бесщелевом полупроводнике HgSe с примесью Fe подтверждено существование резонансных донорных состояний на ионах Fe3+, которым отвечает неизвестная ранее электронная структура примеси. Результаты объяснены в рамках теории резонансного рассеяния электронов. (ИФМ УрО РАН) В сверхвысоком вакууме на кремниевой подложке сформирована упорядоченная система из кластеров кремния и индия (11 атомов), которая после замены в кластере двух атомов кремния на два атома индия обладает металлической проводимостью. (ИАПУ ДВО РАН) Реализована схема одноэлектронного транзистора на одиночной кластерной молекуле, который действует при комнатной температуре и имеет рекордные электрометрические характеристиками. (ИРЭ РАН, МГУ, ИОНХ РАН) В кремниевых МДП-структурах при 0.1-1К измеренная скорость передачи энергии фононам указывает на роль в механизме электрон-фононной связи не деформационного потенциала, а пъезосвязи, которая отсутствует в объемном кремнии. (ФИАН) На основе органических молекулярных кристаллов рубрена разработан метод изготовления полевых МДП-структур с воспроизводимыми характеристиками, что является важным шагом на пути создания 2D систем с экстремально сильными межэлектронными корреляциями. (ФИАН) Структура и свойства кристаллов. Обнаружено, что на определенных частотах фуллерит ведет себя как неупорядоченное твердое тело, в котором существует динамический ориентационный порядок, не проявляющийся на больших временах ( 10-11 с). Это меняет представление об элементарных актах ориентационного движения в пластических кристаллах и жидкостях. (ИАиЭ СО РАН) |
Похожие:
 | Российской Федерации» и постановления Правительства Российской Федерации от №1142 и Указа Президента Российской Федерации от 28 июня... | | Курганской области переданы полномочия Российской Федерации в части лицензирования фармацевтической деятельности (за исключением... |
| Фз «Об основах государственного регулирования торговой деятельности в Российской Федерации» с целью создания системы государственного... |  | Управление Министерства юстиции Российской Федерации по Алтайскому краю напоминает некоммерческим организациям о необходимости исполнения... |
| Уставом (Основным законом) Омской области, Уставом Калачинского городского поселения определяет права, обязанности и ответственность... | | Российской Федерации в области банковской и страховой деятельности настоящие Правила регулируют отношения, возникающие между Страховщиком... |
| Правил отнесения видов экономической деятельности к классу профессионального риска, утвержденных Постановлением Правительства Российской... | | Федеральным законом от 04. 05. 2011 №99-фз «О лицензировании отдельных видов деятельности» и Правилами подготовки и предоставления... |
| ... | | Лицензирование образовательной деятельности осуществляется в соответствии с законодательством Российской Федерации о лицензировании... |