Гоу впо «саратовский государственный университет имени н. Г. Чернышевского» утверждаю зав кафедрой физики твердого тела
Скачать 0.67 Mb.
|
Заключение.В ходе прохождения летней производственной практики в Саратовском отделении Института радиотехники и электроники РАН мы изучили технологии, методы и способы получения и исследования алмазографитовых структур, углеродсодержащих покрытий, диэлектрических пленок оксида кремния, и проанализировали полученные результаты. В ходе измерения автоэмиссионных параметров углеродсодержащих покрытий получили ВАХ образцов углерода на стекле и углерода на кремнии. Зная расстояние между катодом и анодом и площадь анода, получили из зависимости тока от напряжения зависимость плотности тока от напряжённости электрического поля. На основании приведённых зависимостей можно сделать выводы о том, что у образца с углеродом, нанесённым на стеклянную подложку, по сравнению с нанесённым на кремниевую подложку, наблюдается начало автоэмиссии при меньших напряженностях электрического поля и плотность тока достигает значительно больших численных значений. Для определения коффициента усиления поля на углеродной структуре построили полученные зависимости в координатах Фаулера-Нордхейма и по тангенсу углов наклона участков с линейной зависимостью определили коэффициент усиления, который у образца со стеклянной подложкой составил порядка 150, а для образца с кремниевой – 280. В результате рассмотрения АСМ – изображений поверхностей кремниевых пластин ориентации (100) и (111) после подготовки поверхности посредством ПХТ можно сделать следующие выводы: при увеличении отрицательного напряжения в процессе травления у образцов с ориентациями (100) и (111) наблюдается увеличение неравномерности в процессе травления, что приводит к увеличению шероховатости поверхности. Из анализа приведенных АСМ – изображений поверхностей кремниевых пластин можем сделать вывод, что с увеличением температуры образца, на который производиться осаждение углерода, возрастает неравномерность и шероховатость получившихся структур. Наиболее оптимальной температурой для осаждения углерода данным методом является 100˚С, как для пластин с ориентацией (100), так и для пластин с ориентацией (111). Можно видеть, что по сравнению с поверхностью адсорбированного углерода на кремнии (111) на поверхности (100) наблюдается более выраженная регулярность адсорбированной структуры. В ходе исследования пленок SiO экспериментально определили и рассчитали диэлектрические параметры: емкость, диэлектическую проницаемость (ε) и тангенс диэлектрических потерь (tgδ) 5 образцов. Построили графики зависимости tgδ и ε от приложенного напряжения, по которым виден спад диэлектрической проницаемости при напряжении -600, который происходит из-за интенсивного воздействия плазмы на пленку, что приводит не только к её окислению, но и частичному распылению. Были построены графики зависимости фотосопротивления от длины волны при постоянном напряжении, по которым определен максимум фотопроводимости на длине волны 650 нм. При этом образцы №3,№4,№5 с оксидированным кремнием не показали зависимости фототока от длины волны. Вследствие того, что пленка диоксида кремния является диэлектрической и носители заряда, образовавшиеся под действием света быстро рекомбинируют. Таким образом, участвуя в деятельности лабораторий, мы могли напрямую влиять на ход эксперимента, что доказывает значимость подобных мероприятий, и ценность знаний и опыта, полученных в ходе работы с образцами. Список использованных источников
|
Похожие:
 | Дм 212. 242. 12 по защите диссертаций на соискание учёной степени доктора культурологии при гоу впо «Саратовский государственный... | | ... |
| Решение кафедры (№ протокола, дата заседания кафедры, фио, подпись зав кафедрой) | | Ректор фгбоу впо “Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского” |
| О. Н. Хегай, канд техн наук, декан инженерно-технического факультета, зав кафедрой городского строительства и хозяйства гобу впо... | | Российской Федерации об образовании, Уставом и локальными нормативными актами федерального государственного бюджетного образовательного... |
| Первичной профсоюзной организации работников гоу впо саратовский государственный университет | | Министерства образования и науки Российской Федерации, Уставом, локальными нормативными актами федерального государственного бюджетного... |
| Министерства образования и науки Российской Федерации, Уставом, локальными нормативными актами федерального государственного бюджетного... | | О подготовке научно-педагогических и научных кадров в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования... |