Гоу впо «саратовский государственный университет имени н. Г. Чернышевского» утверждаю зав кафедрой физики твердого тела

Скачать 0.67 Mb.

Название	Гоу впо «саратовский государственный университет имени н. Г. Чернышевского» утверждаю зав кафедрой физики твердого тела
страница	3/6
Тип	Отчет

1 2 3 4 5 6

2. Структурирование субмонослойных углеродных покрытий, осажденных в СВЧ плазме низкого давления на монокристаллическом кремнии ориентации (111) (100).
2.1 СВЧ плазмохимическое травление
Описание установки СВЧ вакуумно-плазменной обработки приведено в разделе 1.2
2.1.1 Физика процесса

Самоорганизация и модификация чистых поверхностей кремния различных кристаллографических ориентаций

Реконструкция поверхности кремния ориентаций (100) и (111)

Рассмотрены различные возможные реконструкции на поверхности кремния для разных видов ориентации.

Si(100). Идеальная объемоподобная поверхность Si(100) представляет собой квадратную решетку, образованную верхними атомами Si, каждый из которых связан с двумя атомами второго слоя и имеет две ненасыщенные связи (рисунок 2.1, а). На реконструированной поверхности Si(100) атомы спариваются, образуя димеры, в результате, число ненасыщенных связей уменьшается вдвое (рисунок 2.1, б). Из димеров формируются ряды, и поверхность имеет периодичность 2x1.

Рисунок 2.1 Схематическая диаграмма, иллюстрирующая атомное строение,

а - идеальной нереконструированной поверхности Si(100) lxl;

б - реконструированной (димеризованной) поверхности Si(100) 2xl. Атомы Si верхнего слоя закрашены, элементарные ячейки обведены штриховой линией
Ряды димеров ясно видны на изображениях сканирующей туннельной микроскопии (СТМ), представленных на рисунке 2.2. Димеры видны как вытянутые максимумы на изображениях заполненных состояний и как пара круглых максимумов на изображениях незаполненных состояний.

Рисунок 2.2 СТМ изображение заполненных состояний поверхности Si(100)2xl. На вставке показано СТМ изображение высокого разрешения структуры димерного ряда заполненных состояний (верхняя часть) и незаполненных состояний (нижняя часть). Элементарная ячейка 2x1 обведена
При комнатной температуры димеры динамически переключаются между двумя возможными состояниями. Переключение димеров - случайный процесс, и он происходит гораздо быстрее скорости записи в СТМ. Поэтому, СТМ изображения отражают усредненное по времени положение димеров и отражают асимметричные димеры как симметричные.

Если поверхность Si(100) охладить ниже ~200К, переключение димеров замораживается, и число наклонных димеров, видимых на СТМ изображениях значительно увеличивается. Взаимодействие между димерными рядами приводит к упорядочению наклонных димеров и образованию антисимметричной структуры, в которой димеры в соседних рядах наклонены в противоположных направлениях. Эта структура имеет периодичность с(4х2) (рисунок 2.3) и считается основным состоянием атомарно чистой поверхности Si(100).

Рисунок 2.3, а - Схематическая диаграмма структуры Si(100) c(4х2), образованной коррелированным наклоном соседних димеров. Верхний и нижний атомы наклонного димера показаны светло-серыми и темно-серыми кружками соответственно. б - СТМ изображение заполненных состояний поверхности Si(100)c(4x2), полученной охлаждением образца до 63К. Круглые максимум на СТМ изображении соответствуют верхним атомам в наклонных димерах. Элементарная ячейка c(4х2) обведена
Si(111) На атомарно чистой поверхности Si(111) наблюдаются две основные реконструкции: 2x1 и 7x7, хотя некоторые другие реконструкции, связанные со структурой 7x7, могут быть получены при определенных условиях. Поверхность со структурой 2x1 получается при сколе кристалла Si вдоль грани (111). Структура 2x1 метастабильная и необратимо переходит в реконструкцию 7x7 при прогреве до температуры около 400°С. Реконструкция 7x7 стабильна до температуры около 850°С, где она претерпевает переход типа «порядок-беспорядок» в структуру "1х1". Этот переход обратимый, и при медленном охлаждении реконструкция 7x7 восстанавливается.

Si(111)2xl. Установлено, что модель π-связанных цепочек дает правильное описание структуры сколотой поверхности Si(111)2xl.

Рисунок 2.4 а - Схематическая диаграмма, иллюстрирующая атомное строение идеальной нереконструированной поверхности Si(111)1x1. Атомы Si первого, второго и третьего верхних слоев показаны темно-серыми, светло-серыми и белыми кружками, соответственно. Заметим, что атомы первого и второго слоев образуют двойной слой Si(111). На виде сбоку указаны шестичленные кольца, б - Модель π-связанных цепочек реконструированной поверхности Si(111)2xl, получаемой сколом в вакууме. Атомы Si, образующие π-связанные цепочки, показаны темно-серыми кружками. На виде сбоку показаны пяти и семичленные кольца. Элементарная ячейка поверхности обведена пунктирной линией
Модель предполагала радикальную перестройку поверхности, в которой связи между половиной атомов второго и третьего слоев перестраиваются таким образом, что шестичленные кольца объемоподобной поверхности (см. вид сбоку на рисунке 2.4, а) преобразуются в последовательность семи и пятичленных колец (рисунок 2.4, б). В результате, атомы Si первого и второго слоев образуют зигзагообразные цепочки. Атомы Si в верхних цепочках связаны друг с другом π-связями и поочередно смещены вверх и вниз, делая π-связанные цепочки слегка покороблеными.

Si(111)7x7- очень примечательная структура, так как с одной стороны она показывает насколько сложной и красивой может быть реконструкция, а с другой стороны дает пример того, как совместные усилия многих исследовательских групп приводят к точной расшифровке очень сложной структуры.

Модель димеров-адатомов-дефектов упаковки» (dimer-adatom-stacking fault (DAS) model) поверхности Si(111)7x7 представлена на рисунке 2.5. Основные структурные элементы, составляющие элементарную ячейку реконструкции, следующие:

12 адатомов,

2 треугольные подъячейки, одна из которых содержит дефект упаковки,

9 димеров, ограничивающие треугольные подъячейки,
одна глубокая угловая ямка.

Адатомы занимают положения Т₄ на поверхности второго слоя и образуют локальную структуру 2x2. Двойной слой Si(111), включающий в себя атомы второго и третьего слоев, состоит из треугольных подъячеек. Подъячейки попеременно содержат и не содержат дефекты упаковки и ограничены рядами димеров. В углах ячейки кольца из 12 атомов окружают угловые ямки. 36 из 42 атомов второго слоя связаны с адатомами и их химические связи насыщены. Оставшиеся шесть атомов, у которых ненасыщенные связи сохранились называют рест-атомами. Видно, что DAS-структура 7x7 содержит в сумме 19 ненасыщенных связей на элементарную ячейку, из которых 12 приходится на адатомы, шесть на рест-атомы и одна на угловую ямку. Отметим, что в случае идеальной объемоподобной поверхности элементарная ячейка 7x7 содержит 49 ненасыщенных связей.

Рисунок 2.5 Схематическая диаграмма, показывающая вид сверху и сбоку модель «димеров-адатомов-дефектов упаковки» (dimer-adatom-stacking fault (DAS) model) поверхности Si(111)7x7. Адатомы показаны серыми кружками, атомы более глубоких слоев показаны белыми кружками, размер которых уменьшается с глубиной. Рест-атомы с оборванными связями показаны кружками с крестами. Помечены основные структурные элементы (угловая ямка, рест-атом, димер, адатом) и номера атомных слоев
Кроме основной структуры 7x7 существует целое семейство других (2n+1)х(2n+1) реконструкций DAS-типа: 3x3, 5x5, 9x9, 11x11 и так далее (рисунок 2.6). Структура 7x7 имеет самую низкую энергию среди других реконструкций DAS-типа. Последние формируются в неравновесных условиях: например, на промежуточной стадии перехода от структуры 2x1 к структуре 7x7, при эпитаксиальном росте Si при температурах, ниже необходимых для совершенной эпитаксии, или при быстром охлаждении (закалке) высокотемпературной неупорядоченной структуры "1x1"

Рисунок 2.6 Члены семейства (2n + 1)х(2n+ 1) реконструкций DAS-типа: 3x3, 5x5, 7x7, 9x9
Атомная структура поверхностей с адсорбатами

Поверхностные фазы в субмонослойных системах адсорбат/подложка

В зависимости от силы взаимодействия между адсорбатом и подложкой адсорбция подразделяется на

физосорбцию (слабое взаимодействие);
хемосорбцию (сильное взаимодействие).

Заметим, что разделение между физосорбцией и хемосорбцией не очень резкое, и в качестве граничного значения принята энергия связи между адсорбатом и подложкой около 0,5 эВ на молекулу или атом.

Физосорбция. Термин физосорбция относится к случаю слабого взаимодействия между адсорбатом и подложкой под действием сил вандер-Ваальса. Типичные энергии связи в этом случае порядка 10-100 мэВ. Так как взаимодействие слабое, физосорбированный атом существенно не возмущает структуру поверхности вблизи места адсорбции. Физосорбцию можно наблюдать только в отсутствие хемосорбции и при условии низких температур. Типичный пример физосорбции - это адсорбция инертных газов на поверхности металлов при низких температурах.

Хемосорбция. Хемосорбция соответствует случаю, когда адсорбат образует прочную химическую связь с атомами подложки. Эта связь может быть либо ковалентной (с обобществлением электронов), либо ионной (с переносом заряда). Типичные энергии связи в этом случае порядка 1-10 эВ. Сильное взаимодействие изменяет химическое состояние адсорбата и в случае хемосорбции молекул может приводить к их диссоциации. Структура подложки тоже меняется: эти изменения варьируются от релаксации расстояния между верхними слоями подложки до реконструкции подложки, включающей в себя полную перестройку атомной структуры верхних слоев. В последнем случае конечно необходима термическая активация. Типичный пример хемосорбции - это адсорбция атомов металлов на поверхности металлов или полупроводников при повышенных температурах.

На поверхности монокристаллов взаимодействие между адсорбатами и подложкой часто приводят к возникновению дальнего порядка на границе раздела адсорбат/подложка. Двумерные слои, сформировавшиеся таким образом, могут состоять только из атомов адсорбата (как, например, в случае физосорбции), а могу включать в себя и атомы подложки, что эквивалентно реконструкции исходной поверхности (как, например, в случае хемосорбции). В настоящее время не существует определенного термина для обозначения этого слоя, и обычно используются различные термины, такие как «реконструкция, индуцированная адсорбатом», «двумерная структура», «упорядоченный слой адсорбата» или «упорядоченная поверхностная фаза».

Состав поверхностных фаз

Химический состав поверхностных фаз описывается комбинацией двух величин:

покрытие адсорбата;
покрытие атомов подложки.

Покрытие адсорбата

Покрытие адсорбата - это поверхностная концентрация атомов (или молекул) адсорбата, выраженная в единицах монослоев (МС). Один монослой соответствуют концентрации, когда на каждую элементарную ячейку 1x1 идеальной переконструированной поверхности подложки приходится один адсорбированный атом (или одна адсорбированная молекула). Обращаем внимание, что монослой - это относительная величина, связанная с данной подложкой. Для того, чтобы ее перевести в абсолютную концентрацию, надо покрытие, выраженное в единицах монослоев, разделить на площадь ячейки 1x1.

На рисунке 2.7, а схематически показаны гипотетические поверхностные фазы с покрытием адсорбата 1,0, 0,5 и 0,25 МС.

Рисунок 2.7 Схематическая иллюстрация поверхностных фаз разного состава, а - поверхностные фазы, имеющие одинаковое покрытие атомов подложки (1,0 МС), но различные покрытия атомов адсорбата (1,0, 0,5 и 0,25 МС); б - поверхностные фазы с одинаковым покрытием атомов адсорбата (0,5 МС), но с различным покрытием атомов подложки (1,0, 0,5 и 0,25 МС). Атомы адсорбата показаны серыми кружками, атомы подложки белыми кружками
Покрытие атомов подложки

В литературе покрытие атомов подложки также называют плотностью верхних атомов подложки. Для пояснения смысла термина покрытие атомов подложки, мысленно удалим слой адсорбата из поверхностной фазы и рассмотрим оставшуюся поверхность подложки. Для удобства предположим, что идеальная поверхность подложки содержит один атом на элементарную ячейку 1x1. После мысленного удаления атомов адсорбата поверхность подложки может быть отнсена к одному из трех возможных типов:

нереконструированные поверхности (включая релаксированные поверхности);
поверхности, реконструированные консервативным образом;
поверхности, реконструированные неконсервативным образом.

В случае нереконструированной (релаксированной) поверхности число атомов то же самое, что и на идеальной плоскости в объеме, то есть покрытие атомов подложки равно 1 МС. В случае поверхности, которая претерпела консервативную реконструкцию, общее число атомов в верхнем слое (или слоях) сохраняется, следовательно, покрытие атомов подложки тоже 1 МС. Если поверхность подложки претерпела неконсервативную реконструкцию, то покрытие атомов подложки не будет целым. На рисунке 2.7, б схематически показано несколько примеров поверхностных фаз с одинаковым покрытием адсорбата (0,5 МС), но различным покрытием атомов подложки, а именно, 1,0, 0,5, и 0,25МС. Последние две поверхности подложки демонстрируют неконсервативные реконструкции отсутствующих атомных рядов: когда отсутствует каждый второй ряд атомов, то покрытие атомов подложки равно 0,5 МС; когда отсутствуют три из четырех рядов, то покрытие атомов подложки составляет 0,25 МС.
Вакуумно-плазменное травление

Как известно, процесс вакуумно-плазменного травления с использованием химически активных газов, к которым, в частности, относится хладон-14, при травлении кремния осуществляется в результате протекания гетерогенных химических реакций на поверхности обрабатываемого материала. Процессы на поверхности происходят за счет поступления из плазмы ионов, радикалов и нейтральных атомов рабочих газов, химически активных по отношению к поверхностным атомам обрабатываемого материала. Вид и энергия ионов, поступивших на поверхность обработки, зависят от величины и знака потенциала смещения на подложкодержателе. Интегральным результатом протекания химических процессов между поверхностными атомами и структурными частицами плазмы является ослабление связей поверхностных атомов с подложкой и их удаление в результате образования летучих продуктов реакций или активированной десорбции под воздействием ионной или электронной бомбардировки.

Параллельными исследованиями с использованием методов масс-спектрометрии и эмиссионной спектроскопии установлено, что при СВЧ вакуумно-плазменном травлении кремния в CF₄ в составе газовой фазы фиксируются следующие фрагменты молекул рабочего газа и продуктов травления кремния: радикалы F и CF_n, где n=0,1,2,3, которые являются продуктами ступенчатой диссоциации CF₄:

а также СО с длиной волны излучения 515 нм и SiF (λ = 440 нм), которые, очевидно, являются продуктами гетерогенных химических реакций.

Кроме диссоциации, в плазме СВЧ газового разряда в условиях ЭЦР, имеющей группы электронов с энергией до 90-100 эВ, не менее эффективными могут быть также процессы ионизации этих частиц газовой фазы. Соответствующие значения энергии ионизации молекулы CF₄ и продуктов ее диссоциации приведены в таблице.

Энергии ионизации молекулы CF4 и ее производных
Согласно этим данным, наиболее вероятным ионным составом газовой фазы являются: ионы CF_n⁺, где n=1,2,3, а также в связи с высокой электротрицательностью фтора ионы F⁺.

1- при положительном смещении преимущественно электроны в связи с высокой их подвижностью и отрицательные ионы фтора, а также нейтральные и активированные частицы фтора и CF_n, где n=0,1,2,3,4;

2- при отрицательном смещении - ионы CF_n⁺, где n=0,1,2,3, а также те же нейтральные и активированные частицы фтора и CF_n, где n=0,1,2,3,4.

Поступление из плазмы на кремний двух видов частиц - нейтральных и ионизированных - определяет и два вида взаимодействия этих частиц с поверхностными атомами материала: гетерогенные химические реакции с образованием стабильных летучих соединений и физические эффекты, связанные с ионной бомбардировкой. В любом случае травление кремния во фторсодержащей плазме может начаться только в результате образования связи Si-F, которая значительно сильнее связей Si-Si и F-F. Однако удаление комплексов Si-F с поверхности кремния по той же причине является сложной задачей. Поэтому наиболее вероятными вариантами дальнейшего развития процесса травления кремния являются: образование промежуточных продуктов химических реакций - адкомплексов SiF₂, которые сравнительно легко (пороговая энергия радиационно-стимулированной десорбции для него составляет менее 10 эВ) могут быть десорбированы с поверхности кремния ионным ударом:

(1)

где Ei - энергия иона, необходимая для десорбции SiF₂, а также образования летучего соединения SiF₄ в результате взаимодействия двух адкомплексов SiF₂ между собой. В первом варианте скорость травления кремния, очевидно, будет пропорциональна плотности тока на подложку и степени заполнения поверхности адкомплексами SiF₂. Кремний удаляется с поверхности материала при этом в виде ненасыщенных соединений SiF₂. Второй вариант процесса является преимущественным в случае избытка фтора на поверхности кремния и слабом электронно-ионном воздействии плазмы на поверхность обрабатываемого материала.

Таким образом, в случае положительного смещения на подложкодержателе, когда идет преимущественное поступление из плазмы на поверхность кремния электронов, отрицательных ионов фтора и различных нейтральных частиц плазмы, процесс травления осуществляется согласно реакции (1). Данный процесс по своей сути является чисто химическим и происходит он в условиях недостаточного поступления ионов фтора, в связи с низкой их подвижностью по сравнению с электронами. Электроны заряжают поверхность кремния и тормозят поступление на поверхность отрицательных ионов фтора. В результате этого скорость травления кремния обеих кристаллографических ориентации при положительном смещении является наиболее низкой, а шероховатость поверхности травления в результате протекания изотропных химических реакций, имеющих сравнительно низкую поверхностную плотность очагов реакций, наиболее высокая.

При отрицательном смещении ионы фтора, как отмечалось выше, на поверхность кремния не поступают. Его поверхность покрывается адсорбционными слоями преимущественно CF_n, где n=0,1,2,3,4, и непосредственное образование связей Si-F затруднено. В этом случае развитие процесса травления кремния в плазме CF₄ может происходить благодаря адсорбции и ударной диссоциации как другими ионами, так и самого молекулярного иона следующим образом.

Реакции 3 и 4 происходят преимущественно в случае так называемой сильной адсорбции молекул рабочего газа или молекул продуктов реакции. При этом в отсутствие ионной бомбардировки скорость травления резко снижается.

В случае слабой адсорбции молекул рабочего газа к бомбардируемой поверхности (низкие рабочие давления) более вероятным является процесс, при котором молекулярный ион, например CF₃⁺, при ударе о поверхность диссоциирует на атомы углерода и фтора, которые адсорбируются на активных центрах (ударная диссоциация самого молекулярного иона):

Далее процесс травления кремния идет уже известным путем через образование связей Si-F и адкомплексов SiF₂ с последующей их десорбцией в результате низкоэнергетичной ионной бомбардировки или образования летучего соединения SiF₄. Однако из реакций (4) и (5) можно видеть, что в процессе травления кремния при отрицательном смещении на его поверхности идет накопление атомов углерода, который в результате поверхностной миграции может образовывать наноостровки, препятствующие травлению кремния. В результате этого скорость травления кремния при небольших отрицательных смещениях снижается. При увеличении плотности потока и энергии бомбардирующих ионов CF_n⁺, за счет увеличения отрицательного смещения превалирующим становится процесс физического распыления атомов углерода. В результате этого скорость травления кремния вновь возрастает или стабилизируется (в зависимости от кристаллографической ориентации кремния), а шероховатость поверхности травления уменьшается.

Данный механизм травления кремния в низкоэнергетичной высокоионизованной плазме СВЧ газового разряда низкого давления, очевидно, носит универсальный характер и не зависит от кристаллографической ориентации. Наблюдаемое же различие в скоростях и шероховатости поверхности травления кремния различных ориентации, полученных в одних и тех же режимах СВЧ плазменного воздействия, обусловлено, различной плотностью оборванных связей на поверхностях кремния различных кристаллографических ориентации. Различие в их плотности может по-разному влиять на протекание одной из важнейших стадий процесса травления, связанной с образованием на поверхности травления кремния адкомплексов SiF₂. Известно, например, что у кремния ориентации <100> количество оборванных связей на поверхности больше, чем у кремния ориентации <111>. В результате этого при положительном смещении в условиях нехватки атомарного фтора скорость травления кремния <100> меньше, а шероховатость поверхности после травления больше. Напротив, в условиях избытка фтора на поверхности при небольших положительных смещениях скорость травления кремния ориентации <100> из-за высокой плотности оборванных связей должна быть выше.

В результате травления кремния различных ориентаций и электропроводностей, через субмонослойные углеродные маски одинаковой толщины, получены образцы с различными морфологиями поверхностей и областей скола, представленными на рис. 2.8-2.11.


Рис.2.8. Морфология поверхности высокоомного Si (111) n-типа, полученная с помощью СЭМ, после ПХТ через углеродную маску. Размер поля зрения –6.601 мкм	Рис.2.9. Морфология на границе скола высокоомного Si (111) n-типа, полученная с помощью СЭМ, после ПХТ через углеродную маску. Размер поля зрения –1.653 мкм

На морфологии поверхности образца кремния с ориентацией (111), после ПХТ через углеродную маску (рис. 2.8, 2.9), наблюдаются углеродные островки. Форму углеродных островков в виде разветвленных структур (звездочек) можно объяснить процессами самоорганизации, которые происходят при адсорбции атомов углерода в СВЧ плазме на реконструированную поверхность кремния ориентации (111).

У образца кремния ориентацией (100), после ПХТ через самоорганизованную углеродную маску, на морфологии на границе скола (рис.2.11) обнаружены структуры, представляющие собой как единичные, так и несколько объединенных между собой столбиков, которые образуют более протяженные структуры. Диаметр таких столбиков составляет около 70 нм, а высота порядка 420 нм. Эти столбики ориентированны в одном направлении и перпендикулярны относительно поверхности кристалла. Данная поверхностная структура отражает образовавшиеся на поверхности углеродные островки, которые при ПХТ выполнили функцию маски. Масочные свойства углерода проявляются из-за различий в скорости травления углерода и кремния.


Рис.2.10. Морфология поверхности низкоомного Si (100) p-типа, полученная с помощью СЭМ, после ПХТ через углеродную маску. Размер поля зрения – 6,603 мкм	Рис.2.11. Морфология на границе скола низкоомного Si (100) p-типа, полученная с помощью СЭМ, после ПХТ через углеродную маску. Размер поля зрения – 2.548 мкм

При рассмотрении морфологии на границе скола образца кремния с ориентацией (111), после ПХТ через самоорганизованную углеродную маску, (рис. 2.9), столь выраженной анизотропности травления, как у образца с ориентацией (100), выявлено не было. Поверхность образца с ориентацией (111) представляет собой бугристую структуру, местами переходящую в участки с выступами, направление которых, относительно друг друга и плоскости поверхности кристалла, имеет беспорядочный характер.

Различия в получившихся на поверхности структурах кремния различных ориентаций вызваны различием в формировании и взаимодействии с поверхностью кремния монослойных углеродных систем, выполняющих масочную функцию при травлении. У образца, имеющего ориентацию (100), при адсорбции атомов углерода на поверхность кремния, образуется рядная структура, соответствующая структуре реконструированной поверхности монокристаллического кремния заданной ориентации, которая затрагивает исключительно атомы верхнего слоя кремния. По этой причине наблюдается анизотропное травление. Причём в местах, где были островки углерода, в результате травления остаются столбики кремния. Это происходит из-за того, что скорость травления углерода меньше чем кремния, и углерод в данном случае выполняет маскирующие функции.

На реконструированной поверхности кремния ориентации (111) происходит иной механизм адсорбции атомов углерода. При образовании на поверхности разветвленных структур (звездочек) участвуют атомы не одного, а нескольких верхних слоёв. В результате чего образовавшаяся углеродная маска имеет неравномерную толщину и не регулярную структуру, которая не может обеспечить однородной и анизотропное травление.

1 2 3 4 5 6

	Трансформация современного отечественного образования в контексте диалога культур россии и США Дм 212. 242. 12 по защите диссертаций на соискание учёной степени доктора культурологии при гоу впо «Саратовский государственный...		Мук «Культурный центр имени П. А. Столыпина» Саратовский государственный... ...
	Фгбоу впо «Марийский государственный университет» Факультет культуры и искусств Утверждаю Решение кафедры (№ протокола, дата заседания кафедры, фио, подпись зав кафедрой)		Программа (задача, мероприятие): Федеральная целевая программа развития... Ректор фгбоу впо “Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского”
	Методические указания Абакан 2011 удк 371. 388(69) о-64 Рецензент... О. Н. Хегай, канд техн наук, декан инженерно-технического факультета, зав кафедрой городского строительства и хозяйства гобу впо...		Положение о промежуточной аттестации студентов п 03. 10 2011 Российской Федерации об образовании, Уставом и локальными нормативными актами федерального государственного бюджетного образовательного...
	Саратовская областная организация профессионального союза работников народного Первичной профсоюзной организации работников гоу впо саратовский государственный университет		Положение об организации учебного процесса по заочной форме обучения... Министерства образования и науки Российской Федерации, Уставом, локальными нормативными актами федерального государственного бюджетного...
	Положение об организации учебного процесса по заочной форме обучения... Министерства образования и науки Российской Федерации, Уставом, локальными нормативными актами федерального государственного бюджетного...		Гоу впо «Санкт-Петербургский государственный университет сервиса... О подготовке научно-педагогических и научных кадров в государственном образовательном учреждении высшего профессионального образования...

Гоу впо «саратовский государственный университет имени н. Г. Чернышевского» утверждаю зав кафедрой физики твердого тела

Похожие: