АDMITTANCE AND OPTICAL STUDY OF SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
AND WAFERS IN CRYOGENIC PROBE STATION IN THE TEMPERATURE RANGE 15 TO 475 K
A computer-controlled setup for complex electrical and optical study of semiconductor nanoheterostructures, operated in the temperature range 15 to 475 К is developed. The system allows measuring the temperature and frequency admittance spectra and luminescence spectra of heterostructures, including on the basis of wide bandgap semiconductors, as well as the distribution of parameters along a wafer up to 50.2 mm in diameter. The setup consists of a closed-cycle helium probe station Janis, LCR-meter Agilent E4980A and a temperature controller LakeShore 336. The characterization of bulk 4Н-SiC structures and multiple quantum well InGaN/GaN is presented.
Admittance spectroscopy, capacitance-voltage characteristics, InGaN/GaN, SiC
Физическая электроника и технологии
микро- и наноструктур
Д. Л. Орехов
ООО «НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А. Ф. Иоффе»
Оптимизация процесса пассивации дефектов
на поверхности кремниевых пластин при формировании гетероструктурного фотоэлектрического преобразователя
Представлены результаты получения гетероструктурных солнечных элементов на кристаллическом кремнии путем напыления на его поверхность тонкого слоя из аморфного гидрогенизированного кремния. Описана процедура формирования гетероперехода и пассивации дефектов на поверхности кристаллического кремния. Показана возможность получения времени жизни неосновных носителей заряда более 1 мкс в пластине кристаллического кремния после пассивации ее поверхности, что является достаточным условием для создания гетероструктурного солнечного элемента на кремнии с эффективностью более 20 %.
Солнечные элементы, аморфный гидрогенизированный кремний, гетеропереход,
эффективность солнечного элемента
D. l. Orekhov
R&D center of thin film technologies in energetics under Ioffe institute
OPTIMIZATION OF PASSIVATION PROCESS ON THE SILICON WAFER SURFACE DURING
FORMATION HETEROSTRUCTURE SILICON SOLAR CELL
Results of formation of heterostructure solar cells on crystalline silicon by deposition on the wafer surface of amorphous hydrogenated silicon are presented in the paper. The procedure of heterostructure formation and crystalline silicon surface defect passivation is described. It is shown that it is possible to achieve minority carrier lifetime over 1 msec after surface passivation, which is sufficient to form heterostructure silicon solar cell with efficiency over 20 %.
Solar cells, amorphous hydrogenated silicon, heterojunction, solar cell efficiency
А. В. Семенов, В. П. Афанасьев
Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Исследование деградации двухкаскадных
тонкопленочных модулей на основе аморфного
и микрокристаллического кремния
Проведенное исследование деградации двухкаскадных тонкопленочных солнечных модулей показало, что снижение эффективности модулей, осажденных по модифицированному рецепту, равное 11 %, ниже почти на треть, по сравнению с деградацией эффективности модулей, осажденных по базовой технологии, которая составляет 15 %.
Тонкопленочные солнечные модули на основе кремния, эффективность,
технология формирования, деградация
A. V. Semenov, V. P. Afanasjev
Saint-Petersburg state electrotechnical university «LETI»
STUDY OF THE DEGRADATION OF TWO-STAGE THIN-FILM MODULES BASED
ON AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON
A study of the degradation of two-stage thin-film solar modules is presented. It shows that the reduction the efficiency of the modules deposited on a modified recipe, is equal to 11 %. This estimation almost one third is less, than degradation of the modules (15 %), precipitated by underlying technology.
Thin-film solar modules based on silicon, efficiency, technology of formation, degradation
Информатика и компьютерные технологии
А. В. Бессонов, С. Ю. Лузин
ООО «ЭРЕМЕКС» (Санкт-Перербург)
Ю. Т. Лячек
Санкт-Петербургский государственный электротехнический
университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
|
