Кремний германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства Обзо р

77, 4046 (1996).

33. D.E. Jesson, G. Chen, K.M. Chen, and S.J. Pennycook. Phys. Rev. Lett., 80, 5156 (1998).

34. M. Kästner and B. Voigtländer, Phys. Rev. Lett., 82, 2745 (1999).

35. T.I. Kamins, E.C. Carr, R.S. Williams, and S.J. Rosner. J. Appl. Phys., 81, 211 (1997).

36. G. Medeiros-Ribeiro, A.M. Bratkovski, T.I. Kamins et al. Science, 279, 353 (1998).

37. G. Medeiros-Ribeiro, T.I. Kamins, D.A.A. Ohlberg, and R.S. Williams. Phys. Rev., B 58, 3533 (1998).

38. T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. Appl. Phys. A 67, 727 (1998).

39. R.S. Williams, G. Medeiros-Ribeiro, T.I. Kamins, and D.A.A. Ohlberg. J. Physical Chemistry, B 102, 9605 (1998).

40. T.I. Kamins, G.A.D. Briggs, and R. Stanley Williams. Appl. Phys. Lett., 73, 1862 (1998).

41. F.M. Ross, J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 80, 984 (1998); Microsc. Microanal., 4, 254 (1998).

42. Н.В. Востоков, С.А. Гусев, И.В.Долгов, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, Л.Д. Молдавская, А.В. Новиков, В.В. Постников, Д.О. Филатов, ФТП, №2 (2000)

43. C.-h. Chiu. Appl. Phys. Lett., 75, 3473 (1999).

44. V.A. Shchukin, D. Bimberg. Appl. Phys., A 67, 687 (1998).

45. P. Müller, R. Kern. J. Cryst. Growth, 193, 257 (1998).

46. Y.-W. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, and M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 65, 1020 (1990).

47. S.M. Pintus, S.M. Stenin, A.I. Toropov, et al.. Thin Solid Films, 151, 275 (1987).

48. J.A. Floro, E. Chason, L.B. Freund et al.. Phys. Rev., B 59, 1990 (1999).

49. F.K. LeGoues, M.C. Reuter, J. Tersoff, M. Hammar, and R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 73, 300 (1994).

50. H.T. Johnson and L.B. Freund. J. Appl. Phys., 81, 6081 (1997).

51. V.A. Markov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. J. Cryst. Growth, 175/176, 736 (1997).

52. Z. Jiang, H. Zhu, F. Lu et al.. Thin Solid Films, 321, 60 (1998).

53. V.A. Markov, O.P. Pchelyakov, L.V. Sokolov et al.. Surface Sci., 250, 229 (1991).

54. Y. Kim, B.D. Min and E.K. Kim. J. Appl. Phys., 85, 2140 (1999).

55. J. Zhu, K. Brunner and G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 73, 620 (1998).

56. J. Johansson, W. Seifert. Applied Surface Science, 148, 86 (1999).

57. O.P. Pchelyakov, I.G. Neisvestnyi, Z.Sh. Yanovitskaya. Phys. Low-Dim. Struct., 10/11, 389 (1995).

58. J.A. Floro, E. Chason, M.B. Sinclair, L.B. Freund, G.A. Lucadamo. Appl. Phys. Lett., 73, 951 (1998).

59. H. Omi, T. Ogino. Appl. Surface Sci., 130-132, 781, (1998).

60. G. Springholz, V. Holy, M. Pinczolits, G. Bauer. Science, 282, 734 (1998).

61. Y.W. Zhang, S.J. Xu, and C.-h. Chiu. Appl. Phys. Lett., 74, 1809 (1999).

62. F.M. Ross, R.M. Tromp, M.C. Reuter. Science, 286, 1931 (1999).

63. Y. Obayashi and K. Shintani. J. Appl. Phys., 84, 3142 (1998).

64. G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel, et al. Semicond. Sci. Technol. 11, 1521 (1996).

65. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, Yu.Yu Proskuryakov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii . Appl. Phys. Lett.,75, 1413 (1999).

66. C.S. Peng, Q. Huang, W.Q. Cheng, et al. Appl. Phys. Lett., 72, 2541 (1998).

67. B. Voigtländer and A. Zinner, Appl. Phys. Lett., 63, 3055 (1993).

68. P.W. Deelman, L.J.Schawalter and T. Thundat. J. Vac. Sci. Techn. A, 15, 930 (1997).

69. A. Shklyaev, M. Shibata, M. Ichikawa. Surface Science, 416, 192 (1998).

70. Л.Н. Александров, Р.Н. Ловягин, О.П. Пчеляков, С.И. Стенин. В сб.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок, ч. II , “Наука”, Новосибирск, 1977, стр. 139.

71. I. Berbezier, B. Gallas, A. Ronda, J. Derrien. Surface Sci., 412/413, 415 (1998).

72. Б.З. Ольшанецкий, В.И. Машанов, А.И. Никифоров. ФТТ, 23, 2567 (1981).

73. Z. Gai, R.G. Zhao, H. Ji, X. Li, and W.S. Yang. Phys. Rev., B 56, 12308, (1997).

74. B.Z. Olshanetsky and V.I. Mashanov. Surface Sci., 111, 414 (1981).

75. B.Z. Olshanetsky, A.E. Solovyov, A.E. Dolbak, A.A. Maslov. Surface Sci., 306, 327 (1994).

76. F. Liu, F. Wu and M.G. Lagally. Chem. Rev., 97, 1045 (1997).

77. D.J. Eaglesham, A.E. White, L.C. Feldman et al. Phys. Rev. Lett., 70, 1643, (1993).

78. J. Walz, A. Greuer, G. Wedler, T. Hesjedal, E. Chilla, R. Koch. Appl. Phys. Lett., 73, 2579 (1998).

79. M. Abdallah, I. Berbezier P. Dawson , M. Serpentini, G. Bremond, B. Joyce. Thin Solid Films, 336, 256 (1998).

80. J. Zhu, K. Brunner, and G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 72, 424 (1998).

81. K. Sakamoto, H. Matsuhata, M.O. Tanner, D. Wang , K.L. Wang. Thin Solid Films, 321, 55, (1998).

82. H. Omi , T. Ogino. Applied Surface Science, 130–132, 781 (1998).

83. H. Omi and T. Ogino. Phys. Rev., B 59, 7521 (1999).

84. D. Martrou, P. Gentile, N. Magnea. Journal of Crystal Growth, 201/202, 101 (1999).

85. Y. Homma, P. Finnie, T. Ogino H. Noda and T. Urisu. J. Appl. Phys., 86, 3083 (1999).

86. C.W. Oh, E. Kim, and Y.H. Lee. Phys. Rev. Lett., 76, 776 (1996).

87. A. Nagashima, T. Kimura, J. Yoshino. Applied Surface Science, 130–132, 248 (1998).

88. T. Tezuka and N. Sugiyama. J. Appl. Phys., 83, 5239 (1998).

89. V. Le Thanh. Thin Solid Films 321, 98 (1998).

90. X. Deng and M. Krishnamurthy. Phys. Rev. Lett., 81, 1473 (1998).

91. O.G. Schmidt, C. Lange, K. Eberl, O. Kienzle, F. Ernst. Thin Solid Films, 321, 70 (1998).

92. O. Leifeld, R. Hartmann, E. Müller, E. Kaxiras, K. Kern and D. Grützmacher. Nanotechnology, 10, 122 (1999).

93. E.S. Kim, N. Usami, and Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 72, 1617 (1998).

94. A.A. Shklyaev, M. Shibata, and M. Ichikawa. Appl. Phys. Lett., 72, 320 (1998).

95. T.I. Kamins and R. Stanley Williams. Appl. Phys. Lett., 71, 1201 (1997).

96. T.I. Kamins, R. Stanley Williams and D.P. Basile. Nanotechnology, 10, 117 (1999).

97. O.P. Pchelyakov, V.A. Markov, A.I. Nikiforov, L.V. Sokolov. Thin Solid Films. 306, 299 (1997).

98. Л.В. Соколов, М.А. Ламин, О.П. Пчеляков, А.И. Торопов, С.И. Стенин. Поверхность, 9, 75 (1985).

99. M.A. Lamin, O.P. Pchelyakov, L.V. Sokolov, A.I. Toropov, S.I. Stenin. Surf. Sci., 207, 418 (1989).

100. N. Ohshima, Y. Koide, S. Zaima, Y. Yasuda. J. Cryst. Growth, 115, 106 (1991).

101. Y. Koide, A. Furukawa, S. Zaima, Y. Yasuda. J. Cryst. Growth, 115, 365 (1991).

102. C. Tatsuyama, T. Terasaki, H. Obata, T. Tanbo, H. Ueba. J. Cryst. Growth, 115, 112 (1991).

103. K.Reginski, M.A. Lamin, V.I. Mashanov, O.P. Pchelyakov, L.V. Sokolov. Surf. Sci., 327, 93 (1995).

104. A.I. Yakimov, V.A. Markov, A.V. Dvurechenskii, O.P. Pchelyakov. J. Phys.: Condens. Matter., 6, 2573 (1994).

105. U. Meirav and E.B. Foxman. Semicond. Sci. Technol., 10, 255 (1995).

106. R.C. Ashoori, H.L. Stormer, J.S. Weiner, L.N. Pfeiffer, S.J. Pearton, K.W. Baldwin, K.W. West Phys. Rev. Lett., 68, 3088 (1992).

107. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. Письма в ЖЭТФ, 68, 125 (1998).

108. G. Medeiros-Ribeiro, D. Leonard, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 66, 1767 (1995).

109. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. Thin Solid Films, 336, 332 (1998).

110. A.I. Yakimov, C.J. Adkins, R. Boucher, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, G. Biskupskii, Phys. Rev. B, 59, 12598 (1999).

111. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, A.I. Nikiforov, C.J. Adkins. J. Phys. Condens. Matter, 11, 9715 (1999).

112. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov. Phys. Low-Dim. Struct., 3/4, 99 (1999).

113. S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistol, L. Samuelson, W. Seifert. J. Appl. Phys., 84, . 3747 (1998).

114. M. Sugawara, K. Mukai, H. Shoji. Appl. Phys. Lett., 71, 2791 (1997).

115. J.L. Liu, W.G. Wu, A. Balandin, G.L. Jin, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 74, 185 (1999).

116. P. Boucaud, V. Le Thanh, S. Sauvage, D. Debarre, D. Bouchier. Appl. Phys. Lett., 74, 401 (1999).

117. Д.К. Шредер //В кн.: Приборы с зарядовой связью. Под ред. Д.Ф. Барба - М.: Мир. 1982. С. 70-86.

118. S. Sauvage, P. Boucaud J.-M. Gerard, V. Thierry-Mieg. Phys. Rev. B, 58, 10562 (1998).

119. P. Schittenhelm, C. Engel, F. Findeis, G. Abstreiter, A.A. Darhuber, G. Bauer, A.O. Kosogov, P. Werner. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 1575 (1998).

120. S.K. Zhang, H.J. Zhu, F. Lu, Z.M. Jiang, Xun Wang. Phys. Rev. Lett., 80, 3340 (1998).

121. В.Я. Алешкин, Н.А. Бекин, Н.Г. Калугин, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.В. Постников, Х. Сейрингер. Письма в ЖЭТФ, 67, 46 (1998).

122. M. Grassi, M. Alessi, A.S. Capizzi, A. Bhatti, F. Frova, P. Martelli, A. Frigeri, A. Bosacchi and S. Franchi. Phys. Rev. B, 59, 7620 (1999).

123. X. Wang, Z. Jiang, H. Zhu, F. Lu, D. Huang, X. Liu, C. Hu, Y. Chen, Z. Zhu, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 71, 3543 (1997).

124. C.S. Peng, Q. Huang, Y.H. Zhang, W.Q. Cheng, T.T. Sheng, C.H. Tung, J.M. Zhou. Thin Solid Films, 323, 174 (1998).

125. P. Boucaud, V. Le Thanh, S. Sauvage, D. Debarre, D. Bouchier, and J.-M. Lourtioz. Thin Solid Films, 336, 240 (1998).

126. E.S. Kim, N. Usami, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 72, 1617 (1998).

127. E. Mateeva, P. Sutter, and M.G. Lagally. Appl. Phys. Lett., 74, 567 (1999).

128. E. Palange, G. Capellini, L. Di Gaspare and F. Evangelisti. Appl. Phys. Lett., 68, 2982 (1996).

129. R. Apetz, L. Vescan, A. Hartmann, C. Dieker and H. Luth. Appl. Phys. Lett., 66, 445 (1995).

130. X. Wang, Z. Jiang, H. Zhu, F. Lu, D. Huang, X. Liu, C. Hu, Y. Chen, Z. Zhu, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 71, 3543 (1997).

131. C.S. Peng, Q. Huang, Y.H. Zhang, W.Q. Cheng, T.T. Sheng, C.H. Tung, J.M. Zhou. Thin Solid Films, 323, 174 (1998).

132. P. Boucaud, V. Le Thanh, S. Sauvage, D. Debarre, D. Bouchier, and J.-M. Lourtioz. Thin Solid Films, 336, 240 (1998).

133. E.S. Kim, N. Usami, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 72, 1617 (1998).

134. E. Mateeva, P. Sutter, and M.G. Lagally. Appl. Phys. Lett., 74, 567 (1999).

135. E. Palange, G. Capellini, L. Di Gaspare and F. Evangelisti. Appl. Phys. Lett., 68, 2982 (1996).

136. R. Apetz, L. Vescan, A. Hartmann, C. Dieker and H. Luth. Appl. Phys. Lett., 66, 445 (1995).